內(nèi)存超頻簡介內(nèi)存超頻是提高計算機性能的一種經(jīng)濟實惠的方法，但也存在一定的風(fēng)險，可能導(dǎo)致電腦不穩(wěn)定。在進行內(nèi)存超頻之前，建議先檢查主板和處理器是否支持更高的內(nèi)存頻率，以確保系統(tǒng)兼容性和穩(wěn)定性。BIOS中

內(nèi)存超頻簡介

內(nèi)存超頻是提高計算機性能的一種經(jīng)濟實惠的方法，但也存在一定的風(fēng)險，可能導(dǎo)致電腦不穩(wěn)定。在進行內(nèi)存超頻之前，建議先檢查主板和處理器是否支持更高的內(nèi)存頻率，以確保系統(tǒng)兼容性和穩(wěn)定性。

BIOS中的內(nèi)存超頻設(shè)置

在BIOS中，我們可以通過調(diào)整內(nèi)存頻率來進行內(nèi)存超頻。當(dāng)前主流頻率為DDR3 2800(OC)/2400(OC)/2133(OC)/1866(OC)/1600/1333/1066MHz，應(yīng)根據(jù)個人配置選擇適合的超頻頻率。通常，中高端配置可選擇1800MHz或1866MHz。在“Advanced Chipset Features”菜單中可找到與內(nèi)存相關(guān)的設(shè)置選項。

內(nèi)存CAS延遲時間設(shè)置

“SDRAM CAS Latency Time”是內(nèi)存CAS延遲時間參數(shù)，對內(nèi)存性能有顯著影響。根據(jù)內(nèi)存質(zhì)量，可將CAS信號延遲時間設(shè)置為3或2時鐘周期，質(zhì)量好的內(nèi)存可在CL2下正常工作，性能會明顯提升。

內(nèi)存Tras/Trc時鐘周期設(shè)置

“SDRAM Cycle time Tras/Trc”參數(shù)用于確定內(nèi)存行激活時間和行周期時間的時鐘周期數(shù)。減小激活時間和周期數(shù)可加快內(nèi)存讀取速度，可以嘗試將該項設(shè)置為較小值如5/7，以提升速度。

內(nèi)存超頻實例

1. 進入BIOS中的“Cell Menu”，調(diào)節(jié)CPU頻率，將CPU的外頻更改為200MHz。

2. 在Cell Menu中，將“DRAM Timing Mode”選項設(shè)置為“Manual”，進入“Advance DRAM Configuration”進行內(nèi)存時序設(shè)置。

3. 對CPU和內(nèi)存進行適當(dāng)加電壓處理，一般設(shè)定為1.35v以提高穩(wěn)定性。

在進行內(nèi)存超頻時，避免設(shè)置過大的參數(shù)，逐步調(diào)整以保持系統(tǒng)穩(wěn)定性是安全超頻的重要準(zhǔn)則。謹慎操作并密切關(guān)注硬件運行情況，可以幫助您成功實現(xiàn)內(nèi)存超頻并提升計算機性能。