電子屏的參數(shù) 真我gtneo2pro參數(shù)配置?
真我gtneo2pro參數(shù)配置?機身信息機身結(jié)構(gòu):直板手機顏色:白色,藍色,藍色的,紅色手機尺寸:163.2×74.7×8.18mm手機重量:189g電池類型:鋰聚合物電池,5000mAh快充:支持什
真我gtneo2pro參數(shù)配置?
機身信息
機身結(jié)構(gòu):
直板
手機顏色:
白色,藍色,藍色的,紅色
手機尺寸:
163.2×74.7×8.18mm
手機重量:
189g
電池類型:
鋰聚合物電池,5000mAh
快充:
支持什么65W快充
電池更換:
不接受
屏幕信息
屏幕尺寸:
6.7英寸
屏幕材質(zhì):
AMOLED
屏幕色數(shù):
10.7億色數(shù)
屏幕分辨率:
3216×1440像素
像素密度:
526PPI
屏幕刷新率:
120Hz
屏占比:
92.6%
觸控
電容屏(多點觸控)
輕觸特性:
手勢操作
屏幕特性:
100% DCI-P3廣色域
系統(tǒng)與硬件
操作系統(tǒng):
Android12
CPU型號:
高通公司驍龍8 Gen 1
核心數(shù):
八核
主頻:
3072MHz
CPU制程:
4nm
CPU架構(gòu):
Cortex-X2,Cortex-A710,Cortex-A510GPU型號:
Adreno730
運行內(nèi)存:
8GB
內(nèi)存類型:
LPDDR5
機身容量:
256GB
閃存類型:
UFS 3.1
后置攝像頭拍照查看樣張
傳感器類型:
CMOS
后置相機:
5000廣角微距萬像素
傳感器型號:
索尼IMX766
傳感器尺寸:
1/1.56英寸
前置相機:
3200萬像素
光圈:
F2.4
變焦:
接受20倍-40倍微距變焦
閃光燈:
后置相機LED閃光燈
影音娛樂
音樂特性:
杜比音效
影音特性:
立體三維雙超線性揚聲器,雙mic降噪
導航儀與傳感器
GPS:
內(nèi)置GPS芯片,意見導航功能
感應器:
重力感應器,光感應器,距離傳感器,加速度感應器,陀螺儀感應器,電子羅盤,面部識別
特色功能:
色溫傳感器,屏下光學指紋(接受心率測量)
基本功能
USB接口:
Type C,意見USBOTG功能
耳機接口:
與Micro USBType C接口共用
無線連接:
NFC
鍵盤類型:
虛擬鍵盤
再輸入
觸控打印
輸入法:
中文輸入法,英文輸入法,第三方輸入法
電性能的四個參數(shù)?
絕緣電阻、介電系數(shù)、介質(zhì)所消耗因數(shù)和絕緣強度
變壓器絕緣材料電氣性能的四個基本參數(shù)和絕緣電阻、介電系數(shù)、介質(zhì)所消耗因數(shù)和絕緣強度。
2.1絕緣電阻
2.1.1絕緣電阻的概念絕緣材料的電阻是指絕緣材料在直流電壓的作用下,不加壓時間較長,且使線路上的充電電流和直接吸收電流消失,只有一線路漏電電流按照時的電阻值/好象規(guī)定為電壓再加一分鐘后,所測得的電阻值即絕緣阻值值。對于高電壓大容量的變壓器,測量絕緣電阻時規(guī)定為不加壓10分鐘。
2.1.2影響絕緣電阻的因素
2.1.2.1溫度與絕緣電阻的關(guān)系
隨著溫度的升高,電阻率呈指數(shù)下降,這是只不過當溫度升高時,分子熱運動加重,分子得平均動能大小改變,使分子動能提升到活化能得幾率減少,離子很容易撤回。
2.1.2.2濕度與絕緣值得關(guān)系
水分浸透電介質(zhì)中,增加了導電離子,又能促進雜質(zhì)及極性分子離解。而絕緣材料伴隨著濕度會增大而會下降,尤其是絕緣紙或絕緣紙板得絕緣電阻下降的幅度更大。
電介質(zhì)表面水分對其表面電阻影響很靈巧,離子晶體極性材料等親水物資對水的吸引力大于水分子間的內(nèi)聚力,表面在不的水層降低表面電阻。并且電器設備的原因受潮發(fā)霉引起絕緣電阻降底,照成短路電流過大而物理損壞設備。
2.1.2.3雜質(zhì)與絕緣電阻的關(guān)系電介質(zhì)的雜質(zhì)就增強了導電離子,使電阻會下降,雜質(zhì)又容易潛伏到極性材料中,促進極性分子離解使導電離子許多。
電介質(zhì)表面受雜質(zhì)污染,并吸附性水分會使表面電阻率飛快會下降、絕緣材料的絕緣電阻是上級主管部門材料中雜質(zhì)多少的最靈敏的參數(shù)之一。在絕緣材料的標準中常常用測量體積電阻率的方法來絕對標準絕緣材料的雜質(zhì)含量,目的是只要絕緣材料的絕緣水平,絕緣材料廠需要嚴不地操縱生產(chǎn)環(huán)境的潔凈度。
2.1.2.4電場強度與絕緣電阻的關(guān)系
在電場強度不太高的情況下,電場強度對離子的轉(zhuǎn)移能力和對電阻率的影響都很小。當電場強度血壓時,離子的遷移能力隨電場強度會升高而增加,使電阻率下降,當電場強度降低到使電介質(zhì)之際擊壞時,的原因會出現(xiàn)大量電子遷移到,使電阻率呈指數(shù)下降