半導體的電阻率范圍是多少？半導體的電阻率介于金屬和絕緣體之間：室溫時約在1mΩ·cm～1GΩ·cm之間（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，也有取其1/10或10倍的）?；拘畔⒕螂娮杪逝c晶向關聯(lián)。這對各

半導體的電阻率范圍是多少？

半導體的電阻率介于金屬和絕緣體之間：室溫時約在1mΩ·cm～1GΩ·cm之間（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，也有取其1/10或10倍的）。

基本信息

晶向

電阻率與晶向關聯(lián)。

這對各向異性的晶體，電導率是一個二階張量，共三27個分量。

尤其的，是對Si之類的更具立方對稱性的晶體，電導率是可以簡化后為一個標量的常數(shù)（其他二階張量的物理量也是如此）。

載流子

電阻率的大小做出決定于半導體載流子濃度n和載流子遷移率μ：ρ1/nqμ。

這對游離濃度不均勻的擴散區(qū)的情況，一般說來常規(guī)來算電導率的概念；在完全不同的擴散濃度其分布（比如高斯分布或余誤差廣泛分布等）情況下，也不予行政處罰決定了換算下來電導率與擴散雜質表面濃度之間的關系曲線，可供查用。

溫度

決定電阻率溫度關系的通常因素是載流子濃度和遷移率隨溫度的變化關系。

在低溫下

而載流子濃度指數(shù)式大小改變（施主或受主雜質不時電離），而遷移率又是速度變大的（電離雜質散射作用減緩之故），所以這時電阻率緊接著溫度的升高而迅速下降。

在室溫下

導致施主或受主雜質巳經幾乎電離，則載流子濃度變?yōu)?，但遷移到率將緊接著溫度的升高而降低（晶格振動加重，造成聲子散射增強功能失常），所以我電阻率將緊接著溫度的會升高而大小改變。

在高溫下

過了一會兒本征釋放正在起作用，載流子濃度將指數(shù)式地一下子速度變大，只不過正在此時遷移到率依然緊接著溫度的會升高而減少（晶格振動散射散射越來越大強），可是這種遷移率減少的作用還不如載流子濃度大小改變的強，所以我總的效果是電阻率隨著溫度的會升高而會下降。

本征增強溫度

半導體又開始本征增強起重要作用的溫度，也就是電阻率很快降低的溫度，該溫度來講那就是所有以pn結才是工作基礎的半導體器件的高了工作溫度（畢竟在該溫度下，pn結即并沒有修真者的存在）；該溫度的高低與半導體的滲雜濃度或者，摻雜濃度越高，只不過多數(shù)載流子濃度越大，則本征激發(fā)起重要作用的溫度——半導體器件的極高工作溫度也就越高。所以我，若特別要求半導體器件的溫度穩(wěn)定性越高，其滲雜濃度就肯定越大

pn結兩端是什么？

PN結是由一個N型摻雜區(qū)和一個P型游離區(qū)緊密所接觸所所構成的，其所接觸界面稱做冶金結界面。在一塊發(fā)下的硅片上，用相同的滲雜工藝使其著邊形成N型半導體，另不停地無法形成P型半導體，我們稱兩種半導體的交界處面附近的區(qū)域為PN結。

所以我pn結兩端是P型和N型半導體。