集成電路設(shè)計的架構(gòu)是什么？集成電路設(shè)計:利用半導(dǎo)體制造技術(shù)，在一個很小的單晶硅片上制造大量的晶體管、電阻、電容等元件，按照多層布線或隧道布線的方法，將這些元件組合成一個完整的電子電路設(shè)計。集成電路架構(gòu)

集成電路設(shè)計的架構(gòu)是什么？

集成電路設(shè)計:利用半導(dǎo)體制造技術(shù)，在一個很小的單晶硅片上制造大量的晶體管、電阻、電容等元件，按照多層布線或隧道布線的方法，將這些元件組合成一個完整的電子電路設(shè)計。

集成電路架構(gòu)設(shè)計是什么？

集成電路設(shè)計:利用半導(dǎo)體制造技術(shù)，在一個很小的單晶硅片上制造大量的晶體管、電阻、電容等元件，按照多層布線或隧道布線的方法，將這些元件組合成一個完整的電子電路設(shè)計。

為什么積分放大電路要并一個電阻？

理想的積分器不需要并聯(lián)這個電阻。

由于運(yùn)算放大器的原因，實際的積分器將不可避免地具有偏置電壓。雖然偏置電壓很低，但是電容會充放電，時間長了電容會飽和。并聯(lián)電阻的目的是為電容提供放電回路，不至于飽和，保證電容上電壓和電流的微分關(guān)系。。

集成門電路的選用原則？

集成電路的優(yōu)選順序是超大規(guī)模集成電路→大規(guī)模集成電路→中規(guī)模集成電路→小規(guī)模集成電路。

2.盡量使用金屬外殼的集成電路，便于散熱。

3.所選的集成電壓調(diào)節(jié)器內(nèi)部應(yīng)具有過熱和過流保護(hù)電路。

4.VLSI的選擇要考慮電路的可測試性和可篩選性，否則會影響其可靠性。

5.集成電路MOS器件的選擇應(yīng)注意以下內(nèi)容::

1)1)MOS器件的電流負(fù)載能力低，無功負(fù)載會大大影響器件的工作速度。

2)對于時序和組合邏輯電路，所選器件的最高頻率應(yīng)比電路的應(yīng)用部分高2 ~ 3倍。

3)對于輸入接口，設(shè)備抗干擾性強(qiáng)。

4)對于輸出接口，設(shè)備驅(qū)動能力強(qiáng)。

6.應(yīng)用CMOS集成電路時，應(yīng)注意以下問題:

1)1)CMOS集成電路輸入電壓的擺幅應(yīng)控制在源極電源電壓和漏極電源電壓之間。

2)2)CMOS集成電路的源極電源電壓VSS為低電位，漏極電源電壓VDD為高電位，不可反相。3)當(dāng)輸入信號源與CMOS集成電路不使用同一組電源時，應(yīng)先接CMOS集成電路的電源，再接信號源；先斷開信號源，再斷開CMOS集成電路的電源。

4)如果4)CMOS集成電路的輸入(輸出)端接了長線或大的積分或濾波電容，應(yīng)在輸入(輸出)端串聯(lián)一個限流電阻(1 ~ 10kΩ)，將輸入(輸出)電流限制在10mA以下。

5)當(dāng)輸入到CMOS集成電路的時鐘信號的邊沿由于負(fù)載過重而太慢時，不僅會導(dǎo)致數(shù)據(jù)錯誤，還會增加其功耗并降低其可靠性。因此，可以將施密特觸發(fā)器添加到其輸入端，以改善時鐘信號的邊沿。

7.7:CMOS集成電路中所有不同的輸入端都不應(yīng)該空閑，工作功能正常。:應(yīng)得到如下對待。

1)與門和非門的冗余端應(yīng)通過0.5 ~ 1MΩ的電阻連接到VDD或高電平。

2)或門和或非門的冗余端應(yīng)通過0.5 ~ 1MΩ的電阻連接到VSS或低電平。

3)如果電路的工作速度不高，不特別考慮功耗，冗余終端可以和相同功能的用戶終端并聯(lián)在同一芯片上。需要指出的是，并聯(lián)運(yùn)行的傳輸特性與單一運(yùn)行的傳輸特性有些不同。

8.選擇集成運(yùn)算放大器和集成比較器應(yīng)注意以下問題:。

1)當(dāng)無內(nèi)部補(bǔ)償?shù)募蛇\(yùn)算放大器用于負(fù)反饋時，應(yīng)采取補(bǔ)償措施防止自激振蕩。

2)積分比較器應(yīng)用于開環(huán)時，有時會產(chǎn)生自激振蕩。采取的主要措施是實現(xiàn)電源去耦，降低布線電容和電感耦合。

3)輸出功率較大時，應(yīng)增加緩沖級。當(dāng)輸出端直接連接到電路板外部時，應(yīng)在輸出端考慮短路保護(hù)。

4)輸入端應(yīng)加過電壓保護(hù)，特別是輸入端直接接在電路板外部時，必須在輸入端采取過電壓保護(hù)措施。