內(nèi)存是怎么存儲數(shù)據(jù)的 二維數(shù)組在內(nèi)存中是按列存儲的?
二維數(shù)組在內(nèi)存中是按列存儲的?二維數(shù)組,按行存儲在內(nèi)存中。例如:A [2] [3] {1,2,3,4,5,6}這些要素是:一個【0】一個【0】一個【1】一個【0】一個【2】一個【1】【0 】,一個【1
二維數(shù)組在內(nèi)存中是按列存儲的?
二維數(shù)組,按行存儲在內(nèi)存中。
例如:A [2] [3] {1,2,3,4,5,6}
這些要素是:
一個【0】一個【0】一個【1】一個【0】一個【2】
一個【1】【0 】,一個【1】【1 】,一個【1】【2】
手機(jī)設(shè)備內(nèi)存是什么?
手機(jī)內(nèi)存有兩種,一種是運(yùn)行內(nèi)存,一種是存儲內(nèi)存。運(yùn)行內(nèi)存是指程序運(yùn)行時存放或臨時存放的地方,也叫ram(簡稱運(yùn)存)。而另一個內(nèi)存是用來存放東西的,就像8G的MP4一樣,它有8G的存儲空間,也就是俗稱的手機(jī)內(nèi)存。手機(jī)的運(yùn)行內(nèi)存相當(dāng)于電腦的內(nèi)存(或內(nèi)存條)。手機(jī)的非運(yùn)行內(nèi)存,即手機(jī)的ROM和硬盤,是機(jī)身的內(nèi)部內(nèi)存(簡稱機(jī)身內(nèi)存),相當(dāng)于電腦的硬盤。運(yùn)行內(nèi)存越大,手機(jī)運(yùn)行多個程序越流暢,非運(yùn)行內(nèi)存越大,可以存儲的數(shù)據(jù)越多。
ROM是機(jī)身的存儲空間,主要包括自身系統(tǒng)占用的空間和可供用戶使用的空間。只讀存儲器用于存儲和保存數(shù)據(jù)。手機(jī)里的系統(tǒng)文件,或者圖片、音樂、照片等。通常都儲存在里面。
內(nèi)存的工作原理?
存儲器的工作原理
1.內(nèi)存尋址首先,當(dāng)內(nèi)存從CPU得到一個指令去查找一些數(shù)據(jù),然后找出訪問數(shù)據(jù)的位置(這個動作叫做 "尋址和),它先確定橫坐標(biāo)(也就是列地址),再確定縱坐標(biāo)(也就是行地址),就像在地圖上畫十字記號一樣,這個地方確定的非常準(zhǔn)確。對于計算機(jī)系統(tǒng)來說,找到這個地方需要確定位置是否正確,所以計算機(jī)還必須解釋這個地址的信號,橫坐標(biāo)的信號(即RAS信號,行地址選通)和縱坐標(biāo)的信號(即CAS信號,列地址選通),最后讀或?qū)憽K栽谧x寫存儲器的時候至少要有五個步驟:畫一個十字(有兩個尋址的操作和兩個讀地址的信號,一共四個操作)和或者讀或者寫來完成對存儲器的訪問操作。
2.內(nèi)存?zhèn)鬏敒榱舜鎯?shù)據(jù)或從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù),CPU會對這些讀取或?qū)懭氲臄?shù)據(jù)進(jìn)行尋址(也就是我們所說的交叉尋址)。這時CPU會通過地址總線把地址送到內(nèi)存,然后數(shù)據(jù)總線把相應(yīng)的正確數(shù)據(jù)送到微處理器,送回CPU使用。
3.存取時間所謂存取時間,是指CPU在內(nèi)存中讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)的過程時間,也稱為總線周期。以閱讀為例,從CPU當(dāng)指令被發(fā)送到存儲器時,它將要求存儲器訪問特定地址的特定數(shù)據(jù)。內(nèi)存響應(yīng)CPU后,會將CPU需要的數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU,直到CPU接收到數(shù)據(jù),就變成了一個讀取的過程。所以這整個過程簡單來說就是CPU給出一個讀指令,一個內(nèi)存回復(fù)指令,把數(shù)據(jù)扔給CPU的過程。我們常說的6ns(納秒,秒-9)是指上述過程所花費(fèi)的時間,ns是計算過程的時間單位。我們通常用訪問時間的倒數(shù)來表示速度。例如,6ns內(nèi)存的實際頻率為1/6 ns 166 MHz (DDR標(biāo)注為DDR333,DDR2標(biāo)注為DDR2 667)。
4.內(nèi)存延遲內(nèi)存延遲時間(所謂延遲,從FSB到DRAM)等于以下時間:FSB和主板芯片組之間的延遲時間(1個時鐘周期),芯片組和DRAM之間的延遲時間(1個時鐘周期),RAS到CAS的延遲時間:RAS(2-3個時鐘周期,用于確定正確的行地址),CAS延遲時間(2-3)。用于確定正確的列地址),另外,傳輸數(shù)據(jù)需要1個時鐘周期,數(shù)據(jù)從DRAM輸出緩沖區(qū)經(jīng)過芯片組到CPU的延遲時間(2個時鐘周期)。一般來說,存儲器延遲涉及四個參數(shù):CAS(列地址選通)延遲、RAS(行地址選通)到CAS延遲、RAS預(yù)充電(RAS預(yù)充電電壓)延遲、Act到預(yù)充電(數(shù)據(jù)讀取時間相對于時鐘下沿)延遲。其中CAS時延比較重要,它反映了從接收指令到完成傳輸結(jié)果的過程中的延遲。在你平時看到的數(shù)據(jù)3-3-3-6中,第一個參數(shù)是CAS延遲(Cl 3)。當(dāng)然,延遲越小,速度越快。