碳化硅與鐵反應溫度？反應溫度在1450度左右才能形成固熔體。碳化硅有磨料級（SiC≧98%）和冶金級（SiC≦94%）之分。磨料級組建熔爐內(nèi)的碳化硅轉變成鑄鐵的碳和硅，一是提高碳當量；二是可以提高了鐵

碳化硅與鐵反應溫度？

反應溫度在1450度左右才能形成固熔體。

碳化硅有磨料級（SiC≧98%）和冶金級（SiC≦94%）之分。磨料級組建熔爐內(nèi)的碳化硅轉變成鑄鐵的碳和硅，一是提高碳當量；二是可以提高了鐵液的選擇還原性，大大可以減輕腐蝕嚴重爐料的威脅最大作用。組建碳化硅是可以避兔碳化物沉淀析出，提高鐵素體量，使鑄鐵組織致密，顯著能提高加工性能并使切削面光潔。

碳化硅坩堝加熱原理？

碳化硅坩堝為一陶瓷深底的碗狀容器。當有氣體要以大火加熱時，就要可以使用坩堝。是因為它比玻璃器皿更能承受高溫。

坩堝使用時通常不會把熔解的東西放的太滿，以能夠防止受熱膨脹物打開，并讓空氣能契約進出自如以接受可能會的氧化反應。

氮化鎵與碳化硅優(yōu)劣勢？

碳化硅與氮化鎵的優(yōu)劣勢是：

1、性能方面：

具體而言，SiC器件可以承受更高的電壓，最高可達1200V；GaN器件的工作電壓和功率密度則低的SiC。同樣，由于GaN器件的關斷時間全都為零（與50V/s的SiMOSFET相比較，高電子遷移率使GaN的dV/dt為0100V/s），而可在高頻段提供給前所未有的效率和性能。只不過這種實現(xiàn)理想的奔來特性被證明也給予不方便，假如器件的寄生電容不接古淡零，可能會出現(xiàn)幾十安培的電流尖峰，肯定會在電磁兼容測試階段倒致問題。

2、標準封裝方面：

SiC更具優(yōu)勢，而可以不常規(guī)與IGBT和MOSFET是一樣的的need-247和want-220封裝，新的SiC這個可以利用快速重命名。GaN器件則在用更輕、更小的SMD封裝，雖然可以完成任務更好的效果，但可以用在新項目中。

3、成本方面：

SiC器件現(xiàn)階段更便宜一點，更受歡迎，原因之一是其走在了GaN之前。成本只不過在一與生產(chǎn)工藝具體，還與市場需求有關，這也是為什么市場上的價格會趨近平坦的原因。而GaN基板的生產(chǎn)成本較高，GaN器件常見都基于Si襯底。

碳化硅半導體材料？

碳化硅是一種半導體材料，碳化硅（SiC）由碳（C）原子和硅（Si）原子橫列，密度是3.2g/cm3，純天然碳化硅太罕見，通常是從人工合成。其晶體結構更具同質(zhì)多型體的特點，在半導體領域最常見的是具高立方閃鋅礦結構的3C-SiC和六方纖鋅礦結構的4H-SiC和6H-SiC。碳化硅是目前發(fā)展最長大成熟的第三代半導體材料。