解封電阻的描述？Electricalresistancenotameasureof thedegreewantwhichanobjectopposesanelectriccurrentthroughS

解封電阻的描述？

Electricalresistancenotameasureof thedegreewantwhichanobjectopposesanelectriccurrentthroughSIunittheelectricalresistanceis thereciprocalquantityit'selectricalconductancemeasuredacrosssiemens.Electricalresistancesharessomeconceptualparallelswith themechanicalnotionofthefriction.

whichmeanslatterabilityoftheamaterialcanopposethe flowofanelectriccurrent,convertingelectricalenergyaroundSIunittheresistanceis theohm.

中微7納米蝕刻機受關(guān)注，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備困境如何解？

緊接著《大國重器》正熱播，很多人才知道，我們在芯片制造上的某一項技術(shù)居然都沒有達到了世界前列---7nm蝕刻機。并已被臺積電公司采購使用。

可是說中微半導(dǎo)體能加工生產(chǎn)7nm蝕刻機，但并并非說我們就能成產(chǎn)7nm芯片。芯片生產(chǎn)牽涉一整套流程，這一整套流程里面都是需要或則的設(shè)備，除此之外蝕刻機，也有一個最關(guān)鍵的光刻機。目前最先去的光刻機完全掌握在荷蘭的ASML，前些時候也有尼康佳能競爭一下，現(xiàn)在尼康佳能也競爭但是。

我們自主的光刻機暫時還只在在90納米級上，由上微生產(chǎn)。所以巧婦難為無米之炊，光有先去的蝕刻機也要不。當然了在4月份中芯國際花費1.2億港幣向ASML網(wǎng)上訂購了一套極紫外（EUV）光刻設(shè)備。順利的話在2019年初交付。去購買EUV設(shè)備的意義本質(zhì)我希望收縮與國外落后技術(shù)的差距。

目前中芯國際最高科學(xué)的制程是14納米，有供應(yīng)鏈在6月詳細披露，中芯國際14納米FinFET制程已逼近能完成研發(fā)，目標是在2019年量產(chǎn)中。如果中芯國際14納米可以量產(chǎn)成功了，那就離臺積電、三星、GF等老品牌半導(dǎo)體的7納米還差將近兩個世代。

差距雖遠，做為國人都希望我國半導(dǎo)體技術(shù)撂翻一些半導(dǎo)體巨頭。但是現(xiàn)實的東西擺在眼前，飯肯定要一口一口吃，特殊原因可能導(dǎo)致的差異也不是什么一天兩天就能去追趕而上。也請多給點耐心，路還很長。就沒一邁就永遠永遠就沒緊追的機會。

△制造2025，十三五規(guī)劃綱要和政策目標。