mos管內(nèi)阻rdon不良的原因？產(chǎn)生不良影響原因:第一種：雪崩破壞第二種：器件經(jīng)常發(fā)熱損壞第三種：內(nèi)置二極管徹底的破壞第四種：由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞第五種：柵極電涌、靜電破壞步進(jìn)電機驅(qū)動器燒MOS管如何

mos管內(nèi)阻rdon不良的原因？

產(chǎn)生不良影響原因:第一種：雪崩破壞

第二種：器件經(jīng)常發(fā)熱損壞

第三種：內(nèi)置二極管徹底的破壞

第四種：由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞

第五種：柵極電涌、靜電破壞

步進(jìn)電機驅(qū)動器燒MOS管如何檢修？

步進(jìn)電機驅(qū)動器燒MOS管

現(xiàn)象若是啟動，驅(qū)動器外接保險絲即燒壞，裝置不能運行。維修人員在檢查時，發(fā)現(xiàn)到一功率管已物理損壞，但的原因沒有資料，鬧不清該管的作用，認(rèn)為是功率驅(qū)動的前置沖擊，換上一功率管，通電后，保險再度被燒，戴上的管子亦硬件損壞。

經(jīng)維修檢查，精靈分析是對的，即保險一再被熔斷，驅(qū)動器當(dāng)然存在某一不算正常的大電流，并系統(tǒng)檢查出一功率管損壞。但對該管的作用就沒弄明白。雖然該管為步進(jìn)電機電源驅(qū)動管，步進(jìn)電機為高壓起動，加之要無法承受高壓大電流。靜態(tài)動態(tài)檢查，發(fā)現(xiàn)自己脈沖電流圓環(huán)形分配器的線路中，其電源到地端的阻值很小，但也就沒短路或。

據(jù)線路中的元器件數(shù)量船舶概論功耗分析電源到地端的阻值不應(yīng)如此之小，但懷疑線路中僅是元器件硬件損壞。通電檢查，突然發(fā)現(xiàn)一芯片無比發(fā)熱。突然斷電后將該芯片的電源引腳被切斷，靜態(tài)檢查，電源到地的阻置大小改變應(yīng)屬正常嗎。測該芯片的電源到地的阻值很小。查該芯片的型號，為一非標(biāo)型號，眾多手冊中是沒有查到。

經(jīng)線路結(jié)論，去確認(rèn)其為該板中的比較多元件：環(huán)形脈沖分配器。為及時去確認(rèn)該芯片的問題，首先換耐壓電流功率蠻的步進(jìn)電動機電源驅(qū)動管，重新恢復(fù)該芯片的電源引腳，用自行發(fā)光二級管電路得用步進(jìn)電機各繞組作模擬真實負(fù)載。通電后，會發(fā)光二級管皆亮，即各繞組皆通電，這是不符合線路具體的要求的，鍵入步進(jìn)脈沖無反應(yīng)，而最后確認(rèn)該芯片已硬件損壞。

但該芯片市場上沒有，在驅(qū)動器殼體內(nèi)空間愿意的情況下，區(qū)分了組合線路即用手頭上已有的D觸發(fā)器和與非門的組合設(shè)計了一個圓環(huán)形脈沖發(fā)生器，制作在一個小印制板上，全部拆除原芯片將小印制板按照引腳裝在原芯片的焊盤上。仍用發(fā)光二極管作演示負(fù)載電流，通電后加人步進(jìn)脈沖電流按相序依次不發(fā)光。需要拆除設(shè)計模擬負(fù)載電流，接入主機，通電，設(shè)備運行正常。

三極管和MOS管做開關(guān)管時，一般怎么選擇？

三極管和MOS管大都很廣泛的電子元器件，兩者都是可以以及電子開關(guān)管使用，并且很多場合兩者也是可以不共用建議使用的。三極管和MOS管充當(dāng)開關(guān)管時，有很多相似之處，也有不同之處，這樣在電路設(shè)計時，兩者之間該怎么中,選擇呢？

三極管有NPN型和PNP型，同理可證MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳四個是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個引腳四個是柵極G、漏極D和源極S。下文以NPN三極管和N溝道MOS管為例，下圖為三極管和MOS管操縱原理。

▲NPN三極管與N-MOS管當(dāng)開關(guān)管原理

（1）控制差別，三極管是電流型控制元器件，而MOS管是電壓壓制元器件，三極管導(dǎo)通所需的控制端的輸入電壓特別要求較低，就像0.4V~0.6V以上就這個可以實現(xiàn)程序三極管導(dǎo)通，到時轉(zhuǎn)變基極限流電阻去掉決定基極電流。而MOS管為電壓操縱，導(dǎo)通所需電壓一般4V~10V左右，且提升到飽和現(xiàn)象時所需電壓一般6V~10V左右。在再控制電壓較低的場合一般建議使用三極管才是開關(guān)管，也也可以先不使用三極管充當(dāng)緩存完全控制MOS管，比如說單片機、DSP、powerPC等處理器I/O口電壓較低，僅有3.3V或2.5V，就像絕對不會再控制MOS管，電壓較低MOS管難以導(dǎo)通或內(nèi)阻太大內(nèi)耗大而達(dá)過了具體效果，情況下象建議使用三極管控制。

（2）輸入阻抗完全不同，三極管的輸入阻抗小，MOS管的輸入阻抗大；結(jié)電容都不一樣，三極管的結(jié)電容要比MOS管大，動作相對應(yīng)上MOS管要比三極管快那些；穩(wěn)定性方面MOS管更優(yōu)，三極管的少子組織導(dǎo)電，比較很容易被溫度影響，噪聲較高，而MOS管是多子導(dǎo)電，噪聲小，熱穩(wěn)定性能好。

（3）MOS管內(nèi)阻很小，小點的幾十mΩ，小的只有一幾mΩ，比如4mΩ、2mΩ等，而三極管的導(dǎo)通壓降完全不變，好象為0.3V~0.6V左右，所以我一般在小電流場合也很比較喜歡使用MOS管，內(nèi)阻小壓降低，可是大電流場合就像可以使用三極管，.例如幾百A，或上千A哪怕幾千A的電流時，使用三極管其導(dǎo)通電壓應(yīng)力只有0.3V~0.6V左右，而在用MOS管就算內(nèi)阻很小，但是電流很大，壓降依舊太大，比如電池內(nèi)阻2mΩ，電流1000A，這樣電壓降戰(zhàn)錘2V，功耗太大，高達(dá)2000W，在用三極管功耗只有一300W~600W左右，電流越大其差異越的確，所以我在汽車、高鐵等幾千安培的大電流場合，是區(qū)分三極管作為開關(guān)管的。

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