硅和鍺的反向擊穿電壓？硅管反向移動(dòng)飽和現(xiàn)象電流遠(yuǎn)高于鍺管的方向相反飽和電流（只能后者的百分之一左右），但是好象硅管的方向相反擊穿電壓也低于鍺管。整流二極管和用半導(dǎo)體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿

硅和鍺的反向擊穿電壓？

硅管反向移動(dòng)飽和現(xiàn)象電流遠(yuǎn)高于鍺管的方向相反飽和電流（只能后者的百分之一左右），但是好象硅管的方向相反擊穿電壓也低于鍺管。整流二極管和用半導(dǎo)體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高,反向移動(dòng)漏電流小,高溫性能良好的訓(xùn)練。常見高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造。

鍺管比硅管的特性受溫度的影響??？

鍺的外層電子比硅外層電子重新活躍,對溫度敏感所以我鍺管受溫度影響明顯，是由材料的性質(zhì)做出決定的.還有,鍺二極管的正向電壓降低約0.2v,硅二極管的正向負(fù)載約0.7v

怎樣用萬用表判別硅管和鍺管？

在用萬用表的電阻檔(R×100Ω或R×tkΩ檔)，分別測量二極管的正反向電阻，正向電阻和方向相反電阻都很大的是硅二極管，朝電阻和反向移動(dòng)電阻都一般較小的是鍺二極管。

反相電流怎么產(chǎn)生的？

在由半導(dǎo)體排成的晶體二極管三極管中才有反向電流的概念。

所以才方向相反電流是由少數(shù)載流子在內(nèi)電場作用下所做的漂移運(yùn)動(dòng)而連成的

產(chǎn)生原因一是有儲(chǔ)能元件,電容或電感.

二是因此電磁感應(yīng)出現(xiàn)了反電動(dòng)勢

這是反相電流怎末才能產(chǎn)生的的原因

二極管導(dǎo)通是有壓降的吧只是很小才視為短路，斷開電壓都加在二極管上了為什么負(fù)載沒有電壓？

非常高興回答你的問題

二極管可分硅晶體二極管和鍺晶體二極管。我們就以可以使用最應(yīng)用廣泛的硅晶體二極管為例來那說明在反向電壓下，為么更視關(guān)斷。

當(dāng)我們在二極管平行放置算上運(yùn)動(dòng)方向電壓時(shí)，會(huì)產(chǎn)生最少1~幾十5ma的很小的方向相反飽和電流，且基本上達(dá)到變?yōu)椋皇芊聪蛞苿?dòng)電壓的影響。這么多小的逆方向電流在其負(fù)載上出現(xiàn)的電壓降微乎甚微，簡直測量不進(jìn)去，所以我我們其實(shí)負(fù)載上沒有電壓，也就是我們說的二極管正處于關(guān)斷狀態(tài)。不過，反向電壓值不能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過二極管的大方向相反電壓，不然城就會(huì)刺透。當(dāng)然了，穩(wěn)壓二極管除外。

要是我的回答都能夠回答一你的問題，將是我很高興的事！

二極管朝導(dǎo)通電壓：

硅管0.7V±，

鍺管0.17V±，

肖特基管0.35V±。

只要你有向這邊電流就有導(dǎo)通電壓。

門限電壓是死區(qū)電壓嗎？

是死區(qū)電壓。所謂死區(qū)電壓：由于PN結(jié)內(nèi)部有自建電場，電子和電子空穴的漂移作用，其內(nèi)部本身就更具當(dāng)然的電能，也就是說它的內(nèi)部本身帶有電荷，利用它的單方向?qū)щ娦?，其?shí)應(yīng)該是給PN結(jié)再加外部電壓，破壞了它內(nèi)部自建電場的平衡。

在向這邊電壓很小時(shí)，實(shí)際二極管的電流很小，僅有方向向電壓提升到某一數(shù)值Ur后，電流才的確增長。大多數(shù)把電壓Ur被稱二極管的門限電壓，也一般稱死區(qū)電壓或閾值電壓。導(dǎo)致硅二極管的Is遠(yuǎn)小于鍺二極管的Is，因此硅二極管的門限電壓大于鍺二極管的門限電壓。