光刻機(jī)技術(shù)到頭了用什么替代 量子通信能代替光刻機(jī)嗎?
量子通信能代替光刻機(jī)嗎?量子通信不能不能可以用光刻機(jī)。光量子芯片需不要光刻機(jī)呢?我很很想說,不必須,讓ASML一旁涼爽去吧!但,不用光刻機(jī),用什么呢?微觀光路和零器件的制造,應(yīng)該離不開光刻機(jī)的,我還是
量子通信能代替光刻機(jī)嗎?
量子通信不能不能可以用光刻機(jī)。
光量子芯片需不要光刻機(jī)呢?我很很想說,不必須,讓ASML一旁涼爽去吧!但,不用光刻機(jī),用什么呢?微觀光路和零器件的制造,應(yīng)該離不開光刻機(jī)的,我還是那句老話,總沒法用手盤他吧!由于光量子芯片跟傳統(tǒng)的芯片都一樣,不需要設(shè)計(jì)更復(fù)雜的元器件,比如說激光光源、濾波裝置、波導(dǎo)、量子態(tài)調(diào)控裝置和單光子檢測器等等。
冰刻技術(shù),在理論和技術(shù)上能實(shí)現(xiàn)現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)的精度嗎?
冰刻技術(shù)完全也可以實(shí)現(xiàn)方法與EUV光刻機(jī)相當(dāng)?shù)木?。只不過要利用這個(gè)精度,可以讓電子束直寫光刻機(jī)的的分辨率提升納米級別才行。
其實(shí)“冰膠電子束”的效率是遠(yuǎn)遠(yuǎn)的比不上“光刻膠光刻機(jī)”的。是因?yàn)橐屗魵饽诰?,還需要在零下五度140℃進(jìn)行,再者不使用的我還是電子束刻機(jī),要一點(diǎn)一點(diǎn)的通過雕刻那速度比較好慢。從制造效率上來看,這種冰刻技術(shù)是不妨光刻機(jī)的。而冰刻的分辨率要注意取決于你電子束刻機(jī),不過電子束直寫光刻機(jī)的精度已經(jīng)達(dá)到了10納米左右甚至還以下的精度,但是國內(nèi)電子束直寫光刻機(jī)的精度在1微米,還是沒有都沒有達(dá)到納米級別。實(shí)際上,冰刻技術(shù)只是將化學(xué)的光刻膠換了了水蒸氣罷了。
早在2018年,就先發(fā)布了冰刻系統(tǒng),這次的冰刻則是其升級版,比較多是將原料生產(chǎn)為成品。導(dǎo)致比較傳統(tǒng)的光刻膠一類化學(xué)試劑,在光刻結(jié)束后還要接受刷洗,可以清洗不很干凈的話都會(huì)會(huì)造成良品率下降。而可以使用水蒸氣凝固代替民間的光刻膠之后,就不未知徹底清洗不乾凈這類問題了。
在電子束的作用下,被凝固的水蒸氣是可以再液態(tài)消失而不可能殘留在晶片上,這樣一來就肯定不會(huì)會(huì)造成晶片被大氣的污染了,這是冰膠相對而言傳統(tǒng)光刻膠的優(yōu)勢的地方。只不過可以使用冰膠前,要將晶片放在零下20度140℃的真空環(huán)境中,給其降溫后,再通入水蒸氣。比起傳統(tǒng)的光刻膠來說,就多了這樣一個(gè)步驟。估計(jì)當(dāng)水蒸氣瞬間凝固在晶片上之后,從拿去,到光刻結(jié)束之前都要在0℃以下的環(huán)境中進(jìn)行操作,要知道溫度達(dá)到0℃,融化的水蒸氣就有可能液化作水,這也是相對于民間光刻膠的一個(gè)缺點(diǎn)。
由于冰刻系統(tǒng)的分辨率與電子束直寫光刻機(jī)的分辨率有關(guān),只要電子束直寫光刻機(jī)的分辨率也可以達(dá)到EUV光刻機(jī)的分辨率,那么可以使用冰刻系統(tǒng)加工生產(chǎn)的芯片的制程工藝就這個(gè)可以都沒有達(dá)到EUV光刻機(jī)的生產(chǎn)芯片的制程工藝。
不過,現(xiàn)在世界上分辨率最高的電子束直寫光刻機(jī)能夠掌握在日本的JEOL和Elionix這兩家公司手中。其中JEOL公司制造出來的的JBX-9500S電子束直寫光刻機(jī)的套刻精度為11納米,最大值分辨率在0.1納米左右。而Elionix公司可以制造ELF10000電子束直寫光刻機(jī)的分辨率為100納米。而國產(chǎn)品牌BGJ-4電子束直寫光刻機(jī)的分辨率為1微米,由此可見,就算建議使用了冰膠,在立足于國內(nèi)電子束直寫光刻機(jī)的前提下,是達(dá)將近國產(chǎn)貨SSA600/20的分辨率,更就算是趕上EUV光刻機(jī)了。
我國碳基芯片的發(fā)展還是馬上的,基本都與美國的技術(shù)相差無幾。目前的碳基芯片早就進(jìn)階到了3納米,而我國正準(zhǔn)備向0.5納米進(jìn)發(fā)。碳基芯片的性能要比悠久的傳統(tǒng)的硅基芯片強(qiáng)不少,基本是90納米的碳基芯片性能應(yīng)該是28納米的硅基芯片,45納米的碳基芯片應(yīng)該是7納米的硅基芯片。但是,碳基芯片依舊要都用到光刻機(jī),現(xiàn)階段國內(nèi)制程工藝最小的光刻機(jī)也停留在90納米,而可以使用冰膠的電子束直寫光刻機(jī)還在微米層。因?yàn)檎f,接下來冰刻技術(shù)對國內(nèi)碳基芯片的幫助并非很大。