半導(dǎo)體元器件的測試方法pdf 場效應(yīng)管怎么測參數(shù)?
場效應(yīng)管怎么測參數(shù)?場效應(yīng)管的測量方法:首先用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,紅表筆分別觸碰到另外兩個電極。如果沒有三次再測的阻值都比較大,只能證明也是逆方向電阻,則該管屬于什么N溝道場效應(yīng)管,黑表筆
場效應(yīng)管怎么測參數(shù)?
場效應(yīng)管的測量方法:首先用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,紅表筆分別觸碰到另外兩個電極。如果沒有三次再測的阻值都比較大,只能證明也是逆方向電阻,則該管屬于什么N溝道場效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。場效應(yīng)管(FET)是憑借再控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出來回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此名稱之前。
熱阻測試的原理?
傳熱是依據(jù)什么半導(dǎo)體器件PN結(jié)在更改電流下兩端的電壓隨溫度變化而改變?yōu)闇y試原理,來測什么功率半導(dǎo)體器件的熱穩(wěn)定性或封裝等的散熱特性,給被測功率器件施發(fā)更改功率、指定時間,PN結(jié)兩端的電壓變化(△VBE/△VF/△VGK/△VT/△VSD)作為被測器件的散熱判據(jù)。
半導(dǎo)體材料研發(fā)流程?
每個半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的制造都必須數(shù)百道工序。經(jīng)收拾,半個能制造過程兩類八個步驟:晶圓加工、氧化、光刻、蝕刻、薄膜沉積、互連、測試、封裝方法。
每個環(huán)節(jié)又分若干步驟,如:第七步掩模又可分為涂覆光刻膠、爆光和顯影三個步驟。
光刻工藝是按照光線將電路圖案“印刷”到晶圓上,我們可以不將其表述為在晶圓表面手工繪制半導(dǎo)體制造所需的平面圖。
半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品國家標(biāo)準(zhǔn)?
國際標(biāo)準(zhǔn)分類中,半導(dǎo)體芯片牽涉到半導(dǎo)體后戲臺器件、光電子學(xué)、激光設(shè)備、集成電路、微電子學(xué)、字符集和信息編碼、光纖通信、半導(dǎo)體材料。
在標(biāo)準(zhǔn)分類中,半導(dǎo)體芯片涉及到半導(dǎo)體分立器件綜合、半導(dǎo)體發(fā)光器件、微電路綜合、半導(dǎo)體二極管、微波、毫米波技術(shù)二、三極管、光通信設(shè)備、半導(dǎo)體集成電路、形成標(biāo)準(zhǔn)化、質(zhì)量管理、電工儀器、儀表綜合、元素半導(dǎo)體材料。
國家市場監(jiān)督管理總局、國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會,關(guān)於半導(dǎo)體芯片的標(biāo)準(zhǔn)
GB/T4937.19-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第19部分:芯片圖片復(fù)制強(qiáng)度
GB/T36356-2018功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范
GB/T36357-2018率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范
GB/T36356-2018功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范
國家質(zhì)檢總局,關(guān)于半導(dǎo)體芯片的標(biāo)準(zhǔn)
GB/T36357-2018率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范
GB/T36356-2018功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會,跪求半導(dǎo)體芯片的標(biāo)準(zhǔn)
GB/T35010.8-2018半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第8部分:數(shù)據(jù)交換的EXPRESS格式
GB/T35010.7-2018半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第7部分:數(shù)據(jù)交換的XML格式
GB/T35010.3-2018半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第3部分:操作、包裝和貯存時間指南
GB/T35010.2-2018半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第2部分:數(shù)據(jù)交換格式
GB/T35010.5-2018半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第5部分:電學(xué)仿真要求
福建省質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局,關(guān)與半導(dǎo)體芯片的標(biāo)準(zhǔn)
DB35/T1193-2011半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片
行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)-電子,關(guān)於半導(dǎo)體芯片的標(biāo)準(zhǔn)
SJ/T11399-2009半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片測試方法
SJ/T11402-2009光纖通信用半導(dǎo)體激光器芯片技術(shù)規(guī)范