集成設(shè)備介紹？(1)集成電路預處理設(shè)備按其工藝特性主要包括以下類型。外延爐:用于外延材料生長。氧化擴散設(shè)備:用于制備氧化層，實現(xiàn)摻雜。制膜設(shè)備:主要有電子束蒸發(fā)臺、磁控濺射臺和等離子體增強化學氣相沉積

集成設(shè)備介紹？

(1)集成電路預處理設(shè)備按其工藝特性主要包括以下類型。

外延爐:用于外延材料生長。

氧化擴散設(shè)備:用于制備氧化層，實現(xiàn)摻雜。

制膜設(shè)備:主要有電子束蒸發(fā)臺、磁控濺射臺和等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設(shè)備。

離子注入機:用于高精度摻雜，根據(jù)注入能量、束流大小、硅片大小有多種規(guī)格。

腐蝕和刻蝕設(shè)備:AD7890BN-4的主要設(shè)備是化學濕法刻蝕和等離子體化學干法刻蝕，干法刻蝕具有良好的選擇性和方向性。

光刻設(shè)備:旋涂機、曝光機、顯影設(shè)備、硬膜烘烤機等設(shè)備。

純水制備設(shè)備:用于為工藝生產(chǎn)提供不含雜質(zhì)和細菌的純水。

環(huán)境控制設(shè)備:包括水、風、電、氣、冷、濕、暖，主要為集成電路生產(chǎn)提供潔凈的環(huán)境、必要的動力和恒溫恒濕。

在線測試儀器:主要用于測試和測量集成電路制造過程中的各種工藝參數(shù)，主要包括膜厚測量儀、結(jié)深測量儀、C-V特性測量儀、C-T特性測量儀、薄膜應(yīng)力測量儀、表面缺陷檢查儀、激光橢偏儀、線寬測量儀、電子顯微鏡、原子力顯微鏡等。，以及一些常規(guī)儀器如光學顯微鏡、各種放大倍數(shù)的晶體管特性圖等。

(2)后處理的主要設(shè)備如下。

分割器:主要用于分割固定硅片上的集成電路。邦定機:包括超聲波和金球焊接設(shè)備，實現(xiàn)管芯內(nèi)引線端和外包裝外引線的電連接。

封裝設(shè)備:根據(jù)工藝不同，有儲能實物機、并聯(lián)封口機、玻璃封口機、塑料封口機、激光電子束封口機。

老化篩選設(shè)備:高/低溫箱、靜態(tài)/動態(tài)老化臺、各種檢測儀器、儀表、離心、振動等設(shè)備。

4148二極管電壓怎么測量？

使用JT-1等晶體管特性繪圖儀進行測量，如果是測量正向壓降，可以將IN4148的正極接到C電極接口，負極接到

Iceo是什么電流？

Iceo是穿透電流。穿透電流是指在特定電壓下，基極B與集電極C和發(fā)射極E之間的漏電流。也就是設(shè)備手冊中的Iceo。鍺晶體管的電流如此之小，以至于它可以。;不能用萬用表測量。嚴格來說，需要使用專門的儀器或者晶體管特性圖，在規(guī)定的條件下測量數(shù)據(jù)。

ICEO受溫度影響很大。當溫度升高時，ICEO迅速增加，所以IC相應(yīng)增加。三極管的溫度特性差。理想情況下，穿透電流為零。