mos是什么材質(zhì)？mos是半導(dǎo)體芯片氫氧化物所用材質(zhì)。氫氧化物半導(dǎo)體元件具備這種結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的硅晶體管稱之為nmos硅晶體管。nmos電晶體有P型三極管和N型二極管之分。由開(kāi)關(guān)管夠成的集成電路芯片稱作pm

mos是什么材質(zhì)？

mos是半導(dǎo)體芯片氫氧化物所用材質(zhì)。氫氧化物半導(dǎo)體元件具備這種結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的硅晶體管稱之為nmos硅晶體管。nmos電晶體有P型三極管和N型二極管之分。由開(kāi)關(guān)管夠成的集成電路芯片稱作pmos半導(dǎo)體器件，由功率mos組成的元件就是n溝道集成電路芯片，由jfet管匯聚在一起的電路元件就是jfet集成電路，由功率mos和nmos幾種管道匯聚在一起的互補(bǔ)mosfet開(kāi)關(guān)電路，即主板bios開(kāi)關(guān)電路。

som管工作原理

mos管又稱穩(wěn)壓二極管，即在集成電路芯片中絕緣性能mos管。pmos日文也叫為steel-sulfide-infineon即金屬-氧化物-半導(dǎo)體材料，確切的說(shuō)，這個(gè)我的名字描述了集成電路中開(kāi)關(guān)管的其結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的功率半導(dǎo)體器件上，而且氧化鐵和銀白色金屬，形成漏極。

mos管的image和sink是也可以乘以2的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

在多數(shù)那種情況下，兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也肯定不會(huì)影響大電路器件的整體性能,這樣的元器件被以為是對(duì)稱的。

MOS管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)分別有哪些？

kanS管是一種電力電子器件，是合金—單質(zhì)—集成電路互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的英文簡(jiǎn)稱。

也可以去理解為受輸入電流控制的可變電感器。在場(chǎng)景應(yīng)用中，它只什么工作在四種什么狀態(tài)。

1、截止區(qū):這種什么狀態(tài)正向壓降無(wú)限大。當(dāng)作為開(kāi)關(guān)不使用的話為開(kāi)關(guān)的連接斷開(kāi)狀況。

2、r-s觸發(fā)器（飽和區(qū)）:這種正常狀態(tài)導(dǎo)通阻抗無(wú)限小(一般是幾十mΩ)。當(dāng)作為控制開(kāi)關(guān)建議使用的時(shí)候?yàn)殡娫撮_(kāi)關(guān)的截止?fàn)顟B(tài)狀況。

3、可變電阻區(qū):這是地處截止到區(qū)和截止?fàn)顟B(tài)區(qū)之間的狀況，這個(gè)時(shí)候不導(dǎo)通電等效電阻這個(gè)可以根據(jù)完全控制電壓和電流大小不同而作出改變，這種范圍內(nèi)一般照相顯影劑線性變化穩(wěn)壓電路、可程序化可變電阻器件、集成芯片中電阻值設(shè)計(jì)什么等等。優(yōu)勢(shì)是電阻兩端電壓可隨意調(diào)，外形小巧?，F(xiàn)在集成電路越來(lái)越小巧，也是因?yàn)閜mos既可以當(dāng)控制開(kāi)關(guān)用，也可以當(dāng)電阻值用，而且還可以做的很小有沒(méi)有關(guān)系。

mosfet電子器件與穩(wěn)壓管類似，所以一般的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)都是跟穩(wěn)壓管比較比較

缺點(diǎn)是什么:

開(kāi)關(guān)管損耗輸入電壓低(幾乎不耗費(fèi)輸出電壓)，現(xiàn)在的光電器件高壓低壓發(fā)展方向是勢(shì)頭，高壓后功耗比小，而三極管控制本身要損耗2點(diǎn)幾伏的損耗。現(xiàn)在的高端點(diǎn)的內(nèi)存電壓都比較高，很有可能有4v左右，情況下也就只有功率管能正常什么樣的工作了。

二極管是電壓和電流操縱器件，穩(wěn)壓管是電流大小控制電子器件。三極管里有有個(gè)很小的濾波電容，只要蘊(yùn)滿電Mos管就一直導(dǎo)通狀態(tài)，而極管是需要有電壓和電流才不導(dǎo)通。這就證明三極管只在導(dǎo)通時(shí)耗費(fèi)一點(diǎn)能量，開(kāi)關(guān)管后就不產(chǎn)生能量了。而二極管需要一直能量消耗才能夠保持不導(dǎo)通狀況。

功率管也可以走大電流，因?yàn)楣β使荛_(kāi)關(guān)管后電阻很小所有也可以走大電流。而二極管開(kāi)關(guān)管時(shí)有3點(diǎn)幾伏耗損，這個(gè)時(shí)候輸入電壓除以電壓和電流就是額定功率，所以電流大小大了三極管就經(jīng)受禁不住了。

三極管和開(kāi)關(guān)管有一點(diǎn)不一樣的的別的地方是，二極管導(dǎo)通狀態(tài)后等同于一個(gè)開(kāi)關(guān)管，只能單向不導(dǎo)通，電流只能朝一個(gè)方向流。mos管導(dǎo)通狀態(tài)后應(yīng)該是一跟金屬導(dǎo)體，電流強(qiáng)度兩個(gè)側(cè)面那個(gè)方向流都可以。這是兩個(gè)器件名字不同，也肯定不能說(shuō)是優(yōu)點(diǎn)還是缺點(diǎn)一，不使用的話要注意。

缺點(diǎn):

mos管的缺點(diǎn)一可能會(huì)是怕靜電引起，說(shuō)可能是是因?yàn)楝F(xiàn)在的大部分luS管里的都帶保護(hù)了，一般的帶靜電也已損壞不了二極管。跟極管比也不也算不好的地方了。再一個(gè)優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)是可能moseft價(jià)格高了，說(shuō)可能會(huì)也是因?yàn)橄嗤渌麉?shù)的二極管和三極管差不了太大，因?yàn)橛袊?guó)產(chǎn)的國(guó)外進(jìn)口的清理灰塵的。所以價(jià)格方面我說(shuō)不準(zhǔn)了，但是總覺(jué)得站了起來(lái)還是穩(wěn)壓管便宜。

歸納總結(jié)：

我現(xiàn)在的在在用中間過(guò)程中，如果場(chǎng)效應(yīng)管和mos管都能是用一般情況下就用三極管，如果用mosfet更具優(yōu)勢(shì)，那就用nmos?？偟膩?lái)說(shuō)，功率管應(yīng)用越來(lái)越廣(集成芯片在里面操縱幾乎全是開(kāi)關(guān)管)，場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用越來(lái)越窄。但是一些老接線圖、老電路板、老的所有資料和一些電氣工程師的養(yǎng)成的習(xí)慣，會(huì)導(dǎo)致二極管還有一些市場(chǎng)里，也不用太糾結(jié)了是在用極管還是功率管，它倆不同不大的一般情況下，用哪個(gè)都行。