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陶瓷絕緣性能的影響因素有哪些(為什么硅酸鹽陶瓷做絕緣材料時(shí)要求鈉離子的含量越低越好?)

瓷磚絕緣的原因?瓷磚的原料是粘土、長(zhǎng)石、應(yīng)時(shí)等無機(jī)非金屬材料,經(jīng)過配料加工,高溫?zé)贫?。它們都具有良好的絕緣性。為什么陶瓷是良好的絕緣材料?陶瓷是很好的電絕緣體,石墨、純銅、純鋁是熱的良導(dǎo)體,因?yàn)樘?/p>

陶瓷絕緣性能的影響因素有哪些(為什么硅酸鹽陶瓷做絕緣材料時(shí)要求鈉離子的含量越低越好?)

瓷磚絕緣的原因?

瓷磚的原料是粘土、長(zhǎng)石、應(yīng)時(shí)等無機(jī)非金屬材料,經(jīng)過配料加工,高溫?zé)贫?。它們都具有良好的絕緣性。

為什么陶瓷是良好的絕緣材料?

陶瓷是很好的電絕緣體,石墨、純銅、純鋁是熱的良導(dǎo)體,因?yàn)樘沾捎泻芏喑錆M空氣的微孔,是隔熱材料。

固體中的金屬是熱的良導(dǎo)體,如銀、銅和鋁。其他固體大多是熱的不良導(dǎo)體,如石頭、陶瓷、玻璃、木材、皮革、棉花等。

0.1mm陶瓷涂層能絕緣多少伏電壓?

陶瓷涂層的絕緣性與工作條件有關(guān),如:溫度、濕度、測(cè)壓面積等。封孔后,北京莫奈公司生產(chǎn)的0.1毫米陶瓷涂層可以絕緣1000伏電壓。

陶瓷絕緣強(qiáng)度是多少?

1010 ~ 1020 Oucm

通常用擊穿電壓來表示電力設(shè)備的絕緣強(qiáng)度;絕緣材料的絕緣強(qiáng)度用平均擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度來表示,簡(jiǎn)稱擊穿場(chǎng)強(qiáng)。

擊穿場(chǎng)強(qiáng)是指在規(guī)定的測(cè)試條件下,擊穿發(fā)生時(shí)的電壓除以施加電壓的兩個(gè)電極之間的距離。絕緣強(qiáng)度通常由實(shí)驗(yàn)確定。不同類型的絕緣強(qiáng)度本質(zhì)上是不同的。

陶瓷絕緣強(qiáng)度是多少?

不同類型的陶瓷具有不同的耐壓性。例如,應(yīng)時(shí)陶瓷可以在1毫米內(nèi)承受11千伏的電壓..

陶瓷不是絕緣的嗎?為什么會(huì)有陶瓷電阻?

滑動(dòng)變阻器,,就是電阻絲繞在陶瓷管上,所以陶瓷的絕緣性能好、、、、、、還有一些電阻元件需要與外界絕緣,所以用陶瓷包裹起來,相當(dāng)于絕緣皮、、、、、、、、、、你這個(gè)問題沒有任何歧義。

為什么硅酸鹽陶瓷做絕緣材料時(shí)要求鈉離子的含量越低越好?

在陶瓷材料中,該比值不應(yīng)小于3.5,即鈉離子含量越低越好。由于金屬離子的電荷數(shù)高,離子半徑大,硅氧四面體陰離子的金屬離子結(jié)構(gòu)也牢固,絕緣性能好。

在高鋁瓷和鎂質(zhì)瓷中,含量很高,價(jià)格也貴,一般不需要用它們做絕緣材料。

哪些因素影響絕緣電阻?

在,一些絕緣物體(如塑料、瓷器等)的電導(dǎo)電流。)能在DC電壓的作用下瞬間達(dá)到穩(wěn)定值。但對(duì)于發(fā)電機(jī)、變壓器、電動(dòng)機(jī)、電纜等電氣設(shè)備,其絕緣由復(fù)合介質(zhì)組成,在DC電壓的作用下,會(huì)發(fā)生各種極化現(xiàn)象。

開始極化時(shí),電流很大。隨著加壓時(shí)間的增加,電流值減小,絕緣電阻相應(yīng)增大。這種現(xiàn)象叫做吸收現(xiàn)象。在吸收現(xiàn)象中,衰減最快的電流稱為電容電流,隨時(shí)間緩慢變化的電流稱為吸收電流,不隨時(shí)間變化的穩(wěn)定電流稱為電導(dǎo)電流。普通的設(shè)備容量越大,這種現(xiàn)象越明顯。因?yàn)槲针娏魇请S時(shí)間變化的,所以在測(cè)試絕緣電阻和泄漏電流時(shí),需要指定時(shí)間。絕緣潮濕或臟污時(shí),泄漏電流增大,吸收現(xiàn)象不明顯。影響絕緣電阻測(cè)量結(jié)果的主要因素是溫度、濕度和放電時(shí)間。由于溫度升高,介質(zhì)極化加劇,導(dǎo)致電導(dǎo)增大,電阻減小,所以絕緣電阻隨溫度升高而減小。絕緣電阻會(huì)因表面吸濕或瓷絕緣表面形成水膜而顯著降低。另外,當(dāng)相對(duì)濕度較高時(shí),絕緣會(huì)吸收更多的水分,使電導(dǎo)增加,絕緣電阻降低。測(cè)試絕緣電阻相當(dāng)于在絕緣上施加DC高壓電荷,因此樣品帶電。試驗(yàn)結(jié)束后,應(yīng)將樣品充分放電,放電時(shí)間應(yīng)長(zhǎng)于充電時(shí)間,以免使重復(fù)測(cè)量時(shí)得到的充電電流和吸收電流小于前次測(cè)量值,從而造成吸收比降低、絕緣電阻值升高的現(xiàn)象。