內(nèi)存的性能指標？1.存儲速度存儲器的存儲速度用訪問一次數(shù)據(jù)的時間來表示，單位是納秒。2.存儲容量目前常見的內(nèi)存存儲容量有128 MB、256 MB、512 MB，也有單個內(nèi)存1024 MB的，但其價格

內(nèi)存的性能指標？

1.存儲速度存儲器的存儲速度用訪問一次數(shù)據(jù)的時間來表示，單位是納秒。

2.存儲容量目前常見的內(nèi)存存儲容量有128 MB、256 MB、512 MB，也有單個內(nèi)存1024 MB的，但其價格較高，普通用戶很少使用。

3.CL是CASLstency的縮寫，即CAS latency，指的是存儲器垂直地址脈沖的響應(yīng)時間，是衡量不同規(guī)格的存儲器在一定頻率下的重要標志之一。

4.內(nèi)存帶寬，從內(nèi)存的功能來說，內(nèi)存可以看作是北橋芯片中內(nèi)存控制器和CPU之間的橋梁或倉庫。存儲器的存儲容量決定了“倉庫”的大小，而存儲器的波段決定了橋梁的寬度，二者缺一不可。

內(nèi)存的性能指標？

1.存儲速度存儲器的存儲速度用訪問一次數(shù)據(jù)的時間來表示，單位是納秒，記為ns。1秒=10億納秒，即1納秒=10ˇ9秒。Ns值越小，訪問時間越短，訪問速度越快。

2.存儲容量就目前市場而言，配置機器時應(yīng)該使用8G以上的單個內(nèi)存。提示：內(nèi)存存儲容量的換算公式為：1GB=1024MB=1024*1024KB。

3.CL CL是CAS Lstency的縮寫，即CAS延遲時間，指的是存儲器垂直地址脈沖的響應(yīng)時間。在一定頻率下測量不同的標準記憶是重要標志之一。

4.SPD芯片SPD是一個8引腳256字節(jié)EERROM(電可擦除可編程只讀存儲器)芯片。它一般位于存儲器正面的右側(cè)，記錄著速度、容量、電壓和行列地址、帶寬等參數(shù)信息。開機時，電腦的BIOS會自動讀取SPD中記錄的信息。

內(nèi)存的主要性能指標有哪3個？

存儲器的性能指標包括存儲速度、存儲容量、CAS延遲時間、存儲器帶寬等。在此，我們將一一介紹。

1.存儲速度存儲器的存儲速度用訪問一次數(shù)據(jù)的時間來表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10ˇ9秒。Ns值越小，訪問時間越短，速度越快。目前DDR內(nèi)存的訪問時間一般為6ns，更快的內(nèi)存多用于顯卡的顯存，如5ns、4ns、3.6ns、3.3ns、2.8ns等。

2、存儲容量目前常見的內(nèi)存存儲容量有128MB、256MB、512MB，當然也有單個1GB的內(nèi)存，但其價格較高，普通用戶很少使用。就目前市場而言，配置機器時使用單個256MB以上的內(nèi)存，不要選擇兩個128MB的方案。提示：內(nèi)存存儲容量的換算公式為，1GB=1024MB=1024*1024KB。

3.CL CL是CASLSITY的縮寫，即CASLstency，是指存儲器垂直地址脈沖的響應(yīng)時間，是衡量存儲器在一定頻率下不同規(guī)格的重要標志之一。對于PC1600和PC2100的存儲器，規(guī)定的CL應(yīng)該是2，即讀取數(shù)據(jù)的延遲時間是兩個時鐘周期。也就是說，當CL=2R穩(wěn)定工作時，他必須處于其工作頻率。

4.SPD芯片SPD是8腳256字節(jié)EERROM(電可擦可編程只讀存儲器)芯片，一般位于內(nèi)存條正面右側(cè)，記錄內(nèi)存速度、容量、電壓、行列地址、帶寬等參數(shù)。開機時，電腦的BIOS會自動讀取SPD中記錄的信息。

5.奇偶校驗奇偶校驗是在內(nèi)存的每個字節(jié)中增加一個額外的位，用于錯誤檢測。當CPU返回讀取存儲的數(shù)據(jù)時，會將存儲在前8位的數(shù)據(jù)再次相加，看計算結(jié)果是否與校驗一致。當CPU發(fā)現(xiàn)兩者不同時，會自動處理。

6.內(nèi)存帶寬從內(nèi)存的功能來說，我們可以把內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器(一般位于北橋芯片)和CPU之間的橋梁或倉庫。顯然，存儲器的存儲容量決定了“倉庫”的大小，而存儲器的波段決定了橋梁的寬度，兩者缺一不可。

提示：內(nèi)存帶寬確定如下：B代表帶寬，F(xiàn)代表內(nèi)存時鐘頻率，D代表內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的位數(shù)，則帶寬B=F*D/8，如常見的100MHz SDRAM內(nèi)存帶寬=100MHz*64bit/8=800MB/

1，存儲速度，這個很好理解，越快越好。

2，容量，這個也很好理解，容量越大越好。

3.工作電壓：由于低壓存儲器低于1.5V的標準電壓以保證穩(wěn)定工作，因此低壓存儲器的生產(chǎn)要求更高的質(zhì)量。出廠時內(nèi)存電壓越高，內(nèi)存質(zhì)量越差，這也是低壓內(nèi)存的優(yōu)勢之一。所以記憶棒高低壓的區(qū)別在于低壓記憶棒比高壓記憶棒耗電更少，更環(huán)保。