ddr2內(nèi)存條有什么用？事實上，DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破并不在于它擁有用戶認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是DDR2可以獲得更快的頻率提升，以更低的發(fā)熱和更低的功耗突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHz限制。

ddr2內(nèi)存條有什么用？

事實上，DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破并不在于它擁有用戶認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是DDR2可以獲得更快的頻率提升，以更低的發(fā)熱和更低的功耗突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHz限制。

DDR內(nèi)存通常封裝在TSOP芯片中，可以在200MHz下正常工作。當(dāng)頻率較高時，其過長的管腳會產(chǎn)生高阻抗和寄生電阻，影響其穩(wěn)定性和頻率的提高。這也是DDR核心頻率難以突破275MHz的原因。而DDR2記憶是在FBGA包裝的。與目前廣泛使用的TSOP封裝不同，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能和散熱，為DDR2存儲器的穩(wěn)定工作和未來的頻率發(fā)展提供了良好的保障。

ddr2的主機加內(nèi)存條有用嗎？

是的。其實很簡單。如果你的內(nèi)存是DDR2，電腦加內(nèi)存條的功能理論介紹3360一般來說，內(nèi)存條在電腦中的作用相當(dāng)于一個橋梁，用來掌管硬盤、主板、顯卡等硬件。

ddr2內(nèi)存條4g為什么很少見？

原因是很少有主板能直接支持4G ddr2。大多數(shù)主板在單個內(nèi)存插槽中最多只能支持2G內(nèi)存。所以4G ddr2內(nèi)存不適用，所以世界罕見。

ddr2內(nèi)存條4g為什么很少見？

當(dāng)時對技術(shù)和存儲速度的要求都不高。第二代內(nèi)存，大部分是32尾系統(tǒng)，同時系統(tǒng)運算速度不高，主板可能不支持?，F(xiàn)在技術(shù)已經(jīng)很成熟了，但是二代的內(nèi)存速度根本不足以支撐大規(guī)模的數(shù)據(jù)運算，只能成為電子垃圾。

ddr2接口和內(nèi)存條的區(qū)別？

DDR2接口是存儲芯片的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

DDR2/DDR II(雙倍數(shù)據(jù)速率2) SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)開發(fā)的新一代存儲器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的最大區(qū)別在于，雖然采用了時鐘上升沿/下降沿數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR 2內(nèi)存的預(yù)讀能力是第一代DDR內(nèi)存的兩倍以上(即4-4位數(shù)據(jù)讀取和預(yù)取)。換句話說，DDR2存儲器的每個時鐘可以以4倍于外部總線的速度讀寫數(shù)據(jù)，并以4倍于內(nèi)部控制總線的速度運行。

由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定DDR2存儲器全部在FBGA封裝，與目前廣泛使用的TSOP/TSOP-II封裝不同，F(xiàn)BGA封裝可以提供更好的電氣性能和散熱，為DDR2存儲器的穩(wěn)定工作和未來的頻率發(fā)展提供堅實的基礎(chǔ)?；仡橠DR的發(fā)展歷程，從第一代DDR200通過DDR266、DDR333應(yīng)用于個人電腦到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展已經(jīng)到了技術(shù)極限，常規(guī)的方法很難提高內(nèi)存的工作速度。隨著英特爾最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求越來越高，擁有更高、更穩(wěn)定工作頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。