三星12GB LPDDR4X uMCP芯片有著怎樣的特點？作為先進內(nèi)存技術(shù)的全球領(lǐng)導者，三星今天宣布了業(yè)界首個基于UFS多芯片封裝（UMCP）的12gb lpddr4x內(nèi)存解決方案。除了為中端市場客戶

三星12GB LPDDR4X uMCP芯片有著怎樣的特點？

作為先進內(nèi)存技術(shù)的全球領(lǐng)導者，三星今天宣布了業(yè)界首個基于UFS多芯片封裝（UMCP）的12gb lpddr4x內(nèi)存解決方案。

除了為中端市場客戶提供10GB以上的內(nèi)存解決方案外，這種高容量UMCP還可以使用業(yè)界首款24GB lpddr4x芯片。

（說明：三星）三星內(nèi)存部門副總裁sewon Chun表示：憑借三星領(lǐng)先的24GB lpddr4x芯片，它不僅可以為高端智能手機提供最高的12gb移動DRAM容量，而且有助于開發(fā)下一代移動存儲解決方案。

通過這種方式，三星可以支持其智能手機制造客戶，并為全球更多用戶帶來更好的智能手機體驗。

值得一提的是，三星7個月前剛剛推出了基于16GB DRAM的12gb lpddr4x封裝?，F(xiàn)在，該公司很快提交了一個12gb的UMCP解決方案。

通過將四塊24GB lpddr4x芯片（采用最新的1y nm工藝）和超高速eufs 3.0 NAND閃存組合成一個封裝，新的移動內(nèi)存可以突破目前8GB的封裝限制（提供10GB），為智能電腦打開更廣闊的市場。

隨著屏幕尺寸和分辨率的不斷發(fā)展，越來越多的用戶在運行數(shù)據(jù)密集型任務或多任務處理時將受益于三星的UMCP解決方案。

新推出的12gb UMCP容量是之前8GB套餐的1.5倍，數(shù)據(jù)傳輸速率為4266 Mbps，可支持流暢的4K視頻錄制，讓中檔智能機也能享受到人工智能（AI）和機器學習（ML）的好處。

最后，三星計劃快速增加10GB lpddr DRAM的容量，以滿足全球智能機械制造商對高容量存儲解決方案日益增長的需求，同時加強其在行業(yè)市場的競爭優(yōu)勢。

如何看待三星宣布7nm EUV工藝量產(chǎn)？

今天，三星將舉辦三星科技日活動，活動重點包括7Nm EUV工藝、smartssd（FPGA SSD）、數(shù)據(jù)中心qlc SSD、256gb 3DS rdimm內(nèi)存。與我們關(guān)系最密切的是7Nm EUV工藝的批量生產(chǎn)。三星表示，7Nm LPP優(yōu)于現(xiàn)有10nm LPP FinFET工藝，可實現(xiàn)面積能效提高40%、性能提高20%、功耗降低50%的目標。

目前，納米技術(shù)遇到了一個極限問題，這主要是由制造設(shè)備引起的。具體地說，光刻機的分辨率受到限制。如果想要描繪寬度只有幾納米的細線，對光源聚集性能的要求非常高。分辨率越高，線條越細越清晰。所有的光源都有衍射問題。為了克服衍射問題，我們必須用較短波長的光來描述晶體管掩模。

早就使用了汞光源。經(jīng)過100-80nm工藝后，采用248nm的KrF光源，此后又采用193nm的ARF光源。然而，對于7Nm以下的工藝，需要一種新的EUV光源，波長可以降低到13nm，這被認為是7Nm工藝的重要組成部分。

目前，三星宣布已完成全套7Nm EUV工藝的技術(shù)工藝開發(fā)和生產(chǎn)線部署，并進入量產(chǎn)階段。這意味著整個制造過程可以簡化40%，LPP可以降低20%。

因此，7Nm EUV工藝是半導體制造的關(guān)鍵節(jié)點。大多數(shù)半導體制造商會在這個過程中停留很長時間（比如改名，另一件事）。在未來，5nm和3nm工藝將更難解決。半導體材料的物理極限而不是光源極限是“簡單的”。

三星還表示，7Nm LPP工藝將在韓國花城的S3工廠啟動，并將在2020年前開通一條新的生產(chǎn)線，以滿足市場需求。猜猜哪款產(chǎn)品將率先使用7Nm EUV技術(shù)？