GTO（gate-turn-off-thyristor）是一種功率半導(dǎo)體器件，可以通過柵極開關(guān)控制器件。它的容量僅次于普通的晶閘管。其應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)之一是門極驅(qū)動電路的設(shè)計。門極驅(qū)動電路設(shè)計不當(dāng)，常導(dǎo)

GTO（gate-turn-off-thyristor）是一種功率半導(dǎo)體器件，可以通過柵極開關(guān)控制器件。它的容量僅次于普通的晶閘管。其應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)之一是門極驅(qū)動電路的設(shè)計。

門極驅(qū)動電路設(shè)計不當(dāng)，常導(dǎo)致GTO晶閘管損壞，門極關(guān)斷技術(shù)應(yīng)引起特別重視。門極關(guān)斷晶閘管GTO具有較大的電壓和電流容量，接近普通晶閘管，因此在兆瓦級以上的大功率應(yīng)用中仍有廣泛的應(yīng)用。

GTO驅(qū)動電路的特點是：GTO要求驅(qū)動電路提供的驅(qū)動電流前沿具有足夠的幅值和陡度，一般需要在整個導(dǎo)通期間施加正柵極電流，而關(guān)斷時需要施加負柵極電流，需要更高的振幅和陡度。其驅(qū)動電路通常包括三部分：導(dǎo)通驅(qū)動電路、關(guān)斷驅(qū)動電路和柵極反向偏置電路。

IGBT（絕緣柵雙極晶體管），IGBT的特點是：驅(qū)動電路輸出電阻小，IGBT為電壓驅(qū)動器件，IGBT由專用混合集成驅(qū)動器驅(qū)動；GTR驅(qū)動電路的特點是：驅(qū)動電路提供的驅(qū)動電流具有陡峭的前沿和一定的超調(diào)量，可以加速導(dǎo)通過程，降低導(dǎo)通損耗；在關(guān)斷時，MOSFET（metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）驅(qū)動電路的特點是：要求驅(qū)動電路小、驅(qū)動功率小、電路簡單。