華為如果只能生產14nm,大概是什么水平，類似幾年前的手機？首先，華為沒有生產芯片的能力，更別說14nm了。如果華為能生產14納米芯片，美國就不會有什么問題！目前，華為的芯片代工大部分由臺積電完成，以

華為如果只能生產14nm,大概是什么水平，類似幾年前的手機？

首先，華為沒有生產芯片的能力，更別說14nm了。如果華為能生產14納米芯片，美國就不會有什么問題

！目前，華為的芯片代工大部分由臺積電完成，以14%的收入成為臺積電第二大客戶。目前，臺積電是世界上為數不多的能夠實現7Nm制造工藝、保證產量和產能的公司之一。另一家鑄造廠是韓國的三星。中國的半導體工業(yè)發(fā)展緩慢。雖然一直在努力追趕，但到目前為止，中國著名的半導體代工“中芯國際”只能保證14nm芯片的供應，而7Nm及以下的工藝需要更先進的光刻機。目前，世界上唯一能生產這種水平的光刻機的是荷蘭的asmai。

早在2018年，中芯國際就從荷蘭ASMC訂購了一種7Nm光刻膠，但至今尚未交付。最大的沖擊來自美國，升級后的“實體名單”讓華為感到壓力更大。因此，華為立即向臺積電下了7億美元的訂單，增加了7Nm芯片和5nm芯片（麒麟今年下半年的最新更新），未來華為將維持季度出貨量。

如果華為未來只能采用中國的“中芯國際”O(jiān)EM，那么在處理器性能和功耗方面無疑沒有競爭力。此外，華為的14nm芯片目前正處于5g市場份額競爭的關鍵時期，就像四年前snapdragon 820和821的表現，或者說華為麒麟950和960芯片處理器的表現一樣。只能說在2020年，可以用

華為5G芯片能否用14nm做出來？（比如芯片面積做大）？

如果你想弄清楚問題的主要意思，問題是，沒有臺積電OEM，中芯國際能用現有的量產14nm工藝生產華為5g芯片嗎？有網友表示，華為5g芯片不能用14nm制造，但沒關系。然而，由于Baron基帶不能內置于SOC芯片中，所以需要外置。

為什么基帶不能內置？

目前華為5g芯片（以量產麒麟9905g版為例）采用7Nm的EUV工藝。在相同的設計下，晶體管密度比DUV工藝的普通7Nm高20%。大致可以認為，它的芯片面積比麒麟990大，5g版增加了20%（實際可能更大，這里不詳細），而普通的7Nm工藝比14nm工藝先進兩代。根據每一代的落后和相同數量的晶體管，芯片面積增加了20%。與7Nm工藝相比，14nm工藝提高了約73%。

麒麟9905g的芯片面積為113.31平方毫米，或1.1331平方厘米。根據以上數據，如果采用14nm工藝，芯片面積將增加到1.96平方厘米左右。

這是裸芯的區(qū)域，即模具。眾所周知，芯片是封裝后的最后一塊芯片。而包裝就是要占這個面積。根據麒麟9905g的實物圖片（見下圖），芯片封裝后，最終產品的面積將增加60%左右。

3.136平方厘米的面積有多大？它大致相當于普通成年人的3個食指指甲和X1個食指指甲的寬度。這是一個大面積，所以很難插上手機主板。

即使幾乎沒有插上電源，熱量和電力消耗也會讓工程師頭疼。

總之，芯片設計和工藝是匹配的。采用低工藝高設計會帶來功耗、散熱、主板布局等一系列問題，最終降低手機的使用體驗。

制程7納米的amd cpu為什么比英特爾14納米功耗高？

是所有者對AMD的u有偏見，還是他只是在尋找一個話題來破解AMD，還是他只是猜測7Nm系列？如下圖所示，AMD陣營的處理器溫度約為65℃，12核ryzen 9 3900x的溫度與6核ryzen 5 2600x的溫度幾乎相同，這是高功耗嗎？

在英特爾陣營中，i9-9900k和i9-9700k的大核都飆升到90度以上，i9-9900k甚至要達到100℃，雖然頻率足夠高，但它帶來的高熱值卻不容忽視。在溫度控制方面，第三代夏普龍已經贏得了英特爾的高端處理器。

為什么手機芯片工藝可以7nm，而電腦cpu只能14nm？

這個問題實在太讓人困惑了，我們必須說，因為計算機CPU基本上是由英特爾主導的，它也是世界上最大的半導體公司，現在是第二大的，它的CPU研發(fā)和制造技術至少在現在的世界上，所以面臨的主要問題是：1、你一定要相信英特爾，至少現在是

2，當有人說我是當進程達到7Nm，CPU只使用14nm時，請參考第一個

為什么？因為現在所謂的工序號已經成為一種營銷手段。所謂的“7Nm”營銷標簽不同于英特爾的“10nm”。晶體管的物理尺寸在同一范圍內。真正的區(qū)別是看誰更無恥。例如，全球鑄造廠（GF，AMD的CPU制造商）最近表示，他們新的7Nm工藝類似于英特爾的10nm工藝。

我們不要空談。以上是英特爾公司發(fā)布的14nm晶體管的數據。其柵極寬度為42nm，而三星14nm工藝的柵極寬度為48nm，臺積電16nm工藝的柵極寬度為45nm。如果你稍微注意一下，英特爾的14nm工藝應該是16nm，但也應該是14nm。誰讓這個沒有強制性標準可循。

實際差別遠不止這些?？纯醋詈蟮木w管區(qū)域。在1um^2的面積內，英特爾的14nm晶體管可以放101個，三星的14nm晶體管只能放75個，臺積電的16nm晶體管可以放81個。

。

英特爾明年將量產10nm產品，其水平可能與7Nm幾乎持平。即便如此，你還是要相信英特爾更優(yōu)秀。

14nm水平的芯片和3nm的芯片在應用上到底有什么差別？

14納米的密度是每平方毫米3300萬個晶體管，7納米大約是1.08億個晶體管，3納米至少是2.5億個晶體管。假設面積相同，功耗可降低80%。在相同的性能下，功耗降低了80%。想象一下差距。