如何利用史密斯圓圖匹配阻抗？以ads為例，在組件庫(kù)下拉欄中選擇simulation-s-param庫(kù)，調(diào)出端口項(xiàng)s-parameter simulation control，然后點(diǎn)擊in-matchi

如何利用史密斯圓圖匹配阻抗？

以ads為例，在組件庫(kù)下拉欄中選擇simulation-s-param庫(kù)，調(diào)出端口項(xiàng)s-parameter simulation control，然后點(diǎn)擊in-matching，將Smith圖放在兩個(gè)端口之間連接。記住把港口接地。這個(gè)組件庫(kù)在一堆被動(dòng)組件下面。將左端口設(shè)置為所需的阻抗共軛值。例如，管的輸出阻抗為50Ω100Ω，將端口設(shè)置為Z=50-j*100，然后單擊圓標(biāo)記，單擊“選擇”，在“工具”中選擇“smithchart”，單擊“Z*”，并將其設(shè)置為Z的共軛，即管的輸出阻抗。左側(cè)是各種串聯(lián)和并聯(lián)阻抗。你可以看到這個(gè)。請(qǐng)記住更改頻率，以及S參數(shù)Sp1的頻率。這取決于你的需要。最后，你可以看到你應(yīng)該使用一堆組件來(lái)連接圓的中心點(diǎn)和你想要的Z*。匹配時(shí)，在圓中啟用Q并將其設(shè)置為1.5。您的匹配行不應(yīng)超過(guò)此范圍。就這樣。具體來(lái)說(shuō)，我們要處理的問(wèn)題是微帶線的布局。我們還需要讀下一本書(shū)。

網(wǎng)絡(luò)分析儀上的史密斯圓圖上怎么有三個(gè)坐標(biāo)？

您顯示的是R JX格式。下面是你的marker5數(shù)據(jù)的詳細(xì)解釋?zhuān)?82.65Ω是實(shí)部R，-233.09是虛部X。虛部是負(fù)數(shù)，所以是電容性的。因此，1.5733pf可用公式1/（2*pi*f*x）計(jì)算，其中pi=3.14159625，f=434.000mhz，x=233.09Ω

史密斯圓對(duì)應(yīng)的電長(zhǎng)度為1/2波長(zhǎng)。開(kāi)路點(diǎn)在圖表的最右側(cè)，短路點(diǎn)在圖表的最左側(cè)，圓心是匹配點(diǎn)圓圖的上部是感性的，下部是電容性的。

史密斯圖表上沒(méi)有大于1的反射系數(shù)。匹配禁區(qū)是指無(wú)論串聯(lián)/并聯(lián)電容/電感如何變化，阻抗都無(wú)法匹配到圖表中心的區(qū)域?？吹搅藛醜ttp://www.ednchina.com/blog/maxconn/3563/post.aspx

繞史密斯原圖一個(gè)圓周所對(duì)應(yīng)的電長(zhǎng)度是多少波長(zhǎng)？

史密斯圖表是一個(gè)簡(jiǎn)單的圖形方法，用于計(jì)算阻抗，反射系數(shù)和其他參數(shù)。

通過(guò)使用雙線性變換，z平面被變換為復(fù)平面。實(shí)部R=常數(shù)，虛部X=常數(shù)兩組正交線變?yōu)檎粓A，用反射系數(shù)| g |=常數(shù)和虛部X=常數(shù)進(jìn)行套印。

什么是史密斯圓圖？

史密斯圓是一個(gè)有許多圓交織在一起的圖形。正確地使用它，可以不經(jīng)任何計(jì)算就得到看似復(fù)雜的系統(tǒng)的匹配阻抗。唯一要做的就是沿圓周讀取和跟蹤數(shù)據(jù)。史密斯圖是反射系數(shù)的極坐標(biāo)圖（伽馬，用符號(hào)Γ表示）。反射系數(shù)也可以在數(shù)學(xué)上定義為單端口散射參數(shù)，即S11。通過(guò)驗(yàn)證負(fù)載的阻抗匹配，生成史密斯圖。這里我們不直接考慮阻抗，而是使用反射系數(shù)ΓL，它可以反映負(fù)載的特性（如導(dǎo)納、增益和跨導(dǎo)）。ΓL在處理射頻頻率時(shí)更有用。1無(wú)線通信，特別是移動(dòng)電話的發(fā)展。2全球定位系統(tǒng)（GPS）。三。計(jì)算機(jī)工程（頻率超過(guò)600MHz的總線系統(tǒng)、CPU等外圍設(shè)備）。