晶振電路中的兩個(gè)小電容要怎樣選取？記住表?yè)P(yáng)和評(píng)論泛音晶振和基頻晶振的選用與制作工藝上的區(qū)別？晶體振蕩器的振蕩頻率不是單一的，而是由基波、三泛音、五泛音、七泛音等組成（只能是幾次，泛音越高，啟動(dòng)振蕩越困

晶振電路中的兩個(gè)小電容要怎樣選??？

記住表?yè)P(yáng)和評(píng)論

泛音晶振和基頻晶振的選用與制作工藝上的區(qū)別？

晶體振蕩器的振蕩頻率不是單一的，而是由基波、三泛音、五泛音、七泛音等組成（只能是幾次，泛音越高，啟動(dòng)振蕩越困難）。由于晶體頻率與石英晶片厚度的關(guān)系，受工藝限制，基頻一般在幾米到幾十米之間。泛音模式用于更高的頻率。與泛音晶體振蕩器相比，基頻在處理工藝上沒(méi)有區(qū)別，但在調(diào)試和測(cè)試時(shí)是根據(jù)泛音頻率進(jìn)行測(cè)試的。例如，對(duì)于基頻為10米的晶體振蕩器，第三泛音為30米，第五泛音為50米（事實(shí)上，這不是絕對(duì)的倍數(shù)關(guān)系）。應(yīng)用時(shí)，電路將在10米處振蕩，而不采取任何措施。如果增加基頻抑制，抑制點(diǎn)設(shè)置在10米到30米之間，電路將以第三泛音振蕩。同樣，如果抑制點(diǎn)設(shè)置在30米到50米之間，它可以振蕩到第五泛音。