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內(nèi)存cl值越小越好嗎 內(nèi)存的CL值是什么?

內(nèi)存的CL值是什么?CL值。CL是CAS延遲的縮寫。它是內(nèi)存性能的一個重要指標(biāo)。它是存儲器縱向地址脈沖的響應(yīng)時間。當(dāng)計(jì)算機(jī)需要從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)時,通常在實(shí)際讀取之前有一個“緩沖期”,而“緩沖期”的長度

內(nèi)存的CL值是什么?

CL值。CL是CAS延遲的縮寫。它是內(nèi)存性能的一個重要指標(biāo)。它是存儲器縱向地址脈沖的響應(yīng)時間。當(dāng)計(jì)算機(jī)需要從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)時,通常在實(shí)際讀取之前有一個“緩沖期”,而“緩沖期”的長度就是這個CL,內(nèi)存的CL值越低越好。因此,縮短CAS的周期有助于在同一頻率下提高存儲器的工作速度。CL值還與存儲器操作的頻率有關(guān)。對于相同的內(nèi)存,如圖中的ddr333,CL值為2.5。如果內(nèi)存在266處運(yùn)行,則CL值可以設(shè)置為2。

內(nèi)存cl值是什么?

CL值是內(nèi)存性能的重要指標(biāo),是內(nèi)存垂直地址脈沖的響應(yīng)時間。當(dāng)計(jì)算機(jī)需要從存儲器中讀取數(shù)據(jù)時,通常在實(shí)際讀取之前有一個脈沖周期,緩沖周期的長度為cl值。

內(nèi)存的CL值是什么?

內(nèi)存延遲是指系統(tǒng)在進(jìn)入數(shù)據(jù)訪問操作就緒狀態(tài)之前等待相應(yīng)內(nèi)存的時間。它通常由四個連續(xù)的阿拉伯?dāng)?shù)字表示,如“3-4-4-8”。其中,第一個數(shù)字表示內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)所需的延遲時間(CL值);第二個數(shù)字表示內(nèi)存行地址到列地址的延遲時間(tRCD);第三個數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器(TRP)的預(yù)充電時間,即,從行訪問結(jié)束到內(nèi)存重新啟動的間隔時間;第四個數(shù)字表示從行訪問結(jié)束到內(nèi)存重新啟動的延遲時間內(nèi)存行地址控制器激活時間(TRAS)。一般來說,四個數(shù)字越小,內(nèi)存性能越好。FSB(或前端總線)是最簡單和最常見的超頻方法之一。CL值和FSB都是CMOS的設(shè)置內(nèi)容,主流主板都有設(shè)置選項(xiàng)。有關(guān)詳細(xì)信息,請參閱主板手冊。