vdmos結(jié)構(gòu)原理 VDMOS詳細工作原理?
垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管VDMOS具有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點。VDMOS是開關應用或線性應用的理想功率器件。VDMOS主要應用于電機調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開關、高保真音
垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管VDMOS具有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點。VDMOS是開關應用或線性應用的理想功率器件。VDMOS主要應用于電機調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開關、高保真音響、汽車電器、電子鎮(zhèn)流器等領域。
特點:幾乎無限的靜態(tài)輸入阻抗,非??斓拈_關時間,導通電阻,正溫度系數(shù),近似恒定跨導,高DV/dt。
VDMOS詳細工作原理?
功率MOS采用水平結(jié)構(gòu)。該器件的源極s、柵極g和漏極D均位于硅片的一側(cè)。導通電阻大,性能差,硅片利用率低。VDMOS以二次擴散的形式利用p型區(qū)和n型區(qū)結(jié)深的差異,形成一個非常短且精確控制的溝道長度(1~3)。它可以做成垂直導電結(jié)構(gòu),可以直接安裝漏極。電流容量大,集成度高。