燒錄NAND Flash程序時校驗為什么提示出錯？NAND閃存不同于普通的閃存結(jié)構(gòu)。由于NAND flash的特點，位反轉(zhuǎn)時有發(fā)生，所以燒錄時要注意ECC。位反轉(zhuǎn)是指NAND閃存中位的變化，即從1到0

燒錄NAND Flash程序時校驗為什么提示出錯？

NAND閃存不同于普通的閃存結(jié)構(gòu)。由于NAND flash的特點，位反轉(zhuǎn)時有發(fā)生，所以燒錄時要注意ECC。位反轉(zhuǎn)是指NAND閃存中位的變化，即從1到0或從0到1。小容量的Nandflash不易產(chǎn)生位反轉(zhuǎn)，如1GBIT和2GBIT，而大容量的Nandflash容易產(chǎn)生位反轉(zhuǎn)，如32GBIT。位反轉(zhuǎn)產(chǎn)生的原因有幾個：漂移效應(yīng)：漂移效應(yīng)是指NAND閃存中單元的電壓值變化緩慢，與初始值不同。編程干擾引起的錯誤：這種現(xiàn)象有時被稱為過度編程效應(yīng)。對某一頁的編程操作，即寫操作，會導(dǎo)致其他不相關(guān)頁的位跳變。讀操作干擾引起的錯誤：這種影響是當讀一頁時，相應(yīng)位的數(shù)據(jù)永久地改變，即NAND flash上的位的值改變。T如果在燒錄過程中沒有設(shè)置相應(yīng)的ECC，則在驗證過程中發(fā)現(xiàn)NAND flash中的數(shù)據(jù)與原始數(shù)據(jù)不同，燒錄會提示錯誤。解決方法是在燃燒前設(shè)置ECC。例如，smartpro6000f plus就是這樣設(shè)置的，如下圖所示。

4G的NAND Flash要用什么樣的燒錄器？

從你的模型來看，這是一個很大的nandflash。很容易燒錄錯誤，這表現(xiàn)為驗證過程中的錯誤。實際上，原因是編程位的反轉(zhuǎn)，導(dǎo)致驗證失敗。我看到我的朋友有一臺ZLG致遠電子的SmartPro 6000f燃燒器。在設(shè)置中，可以設(shè)置反向換位，非常方便。我建議你試試。截圖如下：