什么是靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，與動(dòng)態(tài)有什么區(qū)別？SRAM的特點(diǎn)是工作速度快。只要不卸下電源，寫(xiě)入SRAM的信息就不會(huì)消失。不需要刷新電路。同時(shí)，讀取時(shí)不會(huì)損壞原來(lái)存儲(chǔ)的信息。一旦寫(xiě)入，信息可以多次讀出，但集成

什么是靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，與動(dòng)態(tài)有什么區(qū)別？

SRAM的特點(diǎn)是工作速度快。只要不卸下電源，寫(xiě)入SRAM的信息就不會(huì)消失。不需要刷新電路。同時(shí)，讀取時(shí)不會(huì)損壞原來(lái)存儲(chǔ)的信息。一旦寫(xiě)入，信息可以多次讀出，但集成度低，功耗高。

SRAM通常用作計(jì)算機(jī)中的緩存。DRAM是一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它利用場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極和襯底之間的分布電容來(lái)存儲(chǔ)信息。它使用存儲(chǔ)的電荷數(shù)，即電容器端子的電壓來(lái)表示“1”和“0”。DRAM的每個(gè)存儲(chǔ)單元需要較少的MOSFET。常見(jiàn)的類(lèi)型有4晶體管、3晶體管和單管DRAM。因此，它集成度高，功耗低，但缺點(diǎn)是存儲(chǔ)在DRAM中的信息隨著電容器的泄漏，F(xiàn)ET柵極分布電容中的信息將逐漸消失。信息的存儲(chǔ)時(shí)間一般在2ms左右，為了將信息保存在DRAM中，必須每1～2ms刷新一次，因此使用DRAM的計(jì)算機(jī)必須配備動(dòng)態(tài)刷新電路，以防止信息丟失。DRAM通常用作計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器。