襯底和外延片的區(qū)別是什么？1. 襯底是指經(jīng)過切片、清洗、未經(jīng)其他工序加工的藍(lán)寶石晶棒或硅片。也稱為基質(zhì)。一般來說，它是經(jīng)過物理切割（沒有任何物理或化學(xué)變化）后用作背襯的硅原料。2. 外延片是指采用MO

襯底和外延片的區(qū)別是什么？

1. 襯底是指經(jīng)過切片、清洗、未經(jīng)其他工序加工的藍(lán)寶石晶棒或硅片。也稱為基質(zhì)。一般來說，它是經(jīng)過物理切割（沒有任何物理或化學(xué)變化）后用作背襯的硅原料。

2. 外延片是指采用MOCVD工藝加工的晶片。外延生長的基本原理是：在襯底（主要是藍(lán)寶石、碳化硅和硅）上加熱到適當(dāng)?shù)臏囟?，氣體InGaAlP以可控的方式傳輸?shù)揭r底表面，生長出特定的單晶薄膜。

工藝流程為襯底結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、緩沖層生長、n型GaN層生長、多量子阱發(fā)光層生長、p型GaN層生長、退火檢測(cè)（光致發(fā)光、X射線）外延片

芯片為最終工藝，在外延片上進(jìn)一步加工。

具體工藝為外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→脫膠→平臺(tái)圖形光刻→干法蝕刻→脫膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→脫膠→N極圖案光刻→預(yù)清洗→涂布→剝離→退火→P極圖案光刻→涂布→剝離→研磨→切割→切屑→成品檢測(cè)。