irf9z24n可以用什么代替？Irfpf40=900v/4.7A N溝道場效應(yīng)管可由具有相同或稍大參數(shù)的同一類型場效應(yīng)管代替。IRFZ24N可以用F9Z24N代換嗎？兩種型號均為n通道。irf630

irf9z24n可以用什么代替？

Irfpf40=900v/4.7A N溝道場效應(yīng)管可由具有相同或稍大參數(shù)的同一類型場效應(yīng)管代替。

IRFZ24N可以用F9Z24N代換嗎？

兩種型號均為n通道。irf630的工作電壓（200V）遠(yuǎn)高于irfz24n（55v），最大允許功耗（75W）也高于irfz24n（45V）。然而，irfz24n的最大漏極電流（17a）約為irf630（9a）的兩倍，導(dǎo)通電阻（0.07歐姆）遠(yuǎn)小于irf630（0.4歐姆）。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)。是否可以更換取決于實際情況，并給出了相關(guān)參數(shù)的要求。

IRFZ44N可以用什么代換？

Irfz44n可替換為irfz46n。

Irfz44n（60V、35A、150W）可替換為irfp054（60V、65A、180W）；irfp064（60V、70A、300W）；irfp260（200V、46a、280W）。

irfz44n的基本參數(shù)：

1晶體管極性：N溝道

2晶體管編號：1

3晶體管類型：MOSFET

4漏極電流，ID Max:49A

5電壓，VDS Max:55v

6導(dǎo)通電阻，RDS（導(dǎo)通）：0.024歐姆

7電壓，VGS最大值：21V

8功耗：83w

9封裝類型：TO-220AB

10針編號：3

11設(shè)備標(biāo)記：irfz44npbf

12針截面距離：2.54mm

全功率溫度：25°C

熱電阻，接頭至外殼a:1.8°C/w

電流，ID連續(xù)：41a

電流，IDM脈沖：160A

表面貼裝器件：via貼裝

引腳格式：1G

閾值電壓，VGS th典型值：4V

irfz46n:n溝道大功率MOS晶體管。這就是場效應(yīng)晶體管。參數(shù)：id=53a；PD=107w；VDS=55v；RDS=Irfz44n:n溝道大功率MOS晶體管，即場效應(yīng)晶體管。參數(shù)：id=55A，PD=83w，VDS=55v，RDS=0.024歐姆。如果電路要求不嚴(yán)格，可以更換。

IRFZ44N可以用什么管代換？

Irf640是一種n溝道MOS功率晶體管，參數(shù)為18a、200V、0.180歐姆、n溝道功率MOSFET。Irf640屬于Vishay的第三代功率mosfet。Irf640為設(shè)計師提供了快速轉(zhuǎn)換、耐久性、低阻抗和高效率的強(qiáng)大組合。帶TO-220封裝的Irf640一般適用于功耗約50W的工商業(yè)應(yīng)用，低熱阻、低成本的TO-220封裝使Irf640在業(yè)界得到廣泛認(rèn)可。D2Pak封裝中的irf640適用于芯片安裝。與現(xiàn)有的芯片封裝相比，它具有最高的功耗和最低的導(dǎo)通阻抗。irf640的D2Pak封裝適合大電流應(yīng)用。irf640的To-262適用于低端通孔安裝。

IRF640是什么管子？

irf630編輯此部分的基本參數(shù)：晶體管極性：n漏極電流，ID最大值：9A電壓，VDS最大值：200V開路電阻，RDS（開）：0.4ohm電壓@RDS測量：10V電壓，VGS最大值：3V功耗：100W封裝類型：TO-220引腳數(shù)：3電源，PD:100W封裝類型，替換：sot-78b引腳螺距：2.54mm時間，TRR典型值：170ns晶體管數(shù)量：1晶體管類型：MOSFET全功率溫度：25°C電容值，CISS典型值：540pf電流，IDM脈沖：36a表面貼裝器件：via安裝引腳格式：1g 2插座D 3S閾值電壓，VGS th最小值：2V閾值電壓，VGS th最大值：4V