內(nèi)存時(shí)序?qū)?nèi)存的性能影響大嗎？公共內(nèi)存有三個(gè)主要指標(biāo)：容量、頻率和時(shí)間。一般來說，內(nèi)存的容量是最重要的，因?yàn)閮?nèi)存是CPU的數(shù)據(jù)傳輸站。如果容量達(dá)不到要求，CPU只能讀取慢速硬盤上的數(shù)據(jù)，運(yùn)算速度將受到

內(nèi)存時(shí)序?qū)?nèi)存的性能影響大嗎？

公共內(nèi)存有三個(gè)主要指標(biāo)：容量、頻率和時(shí)間。一般來說，內(nèi)存的容量是最重要的，因?yàn)閮?nèi)存是CPU的數(shù)據(jù)傳輸站。如果容量達(dá)不到要求，CPU只能讀取慢速硬盤上的數(shù)據(jù)，運(yùn)算速度將受到很大限制。即使是一些大型的軟件和游戲也可能因?yàn)閮?nèi)存不足而無法運(yùn)行，因此有必要提高性能足夠的容量是內(nèi)存的前提，然后可以考慮頻率和時(shí)序的影響。

內(nèi)存定時(shí)通常以數(shù)字的形式寫為“aa bb cc dd”，包括CL延遲、tRCD行地址到列地址等待時(shí)間等。這些反映了內(nèi)存在不同工作鏈路中的延遲時(shí)間。該值越小，數(shù)據(jù)延遲時(shí)間越短，性能越強(qiáng)。因此，我們愿意選擇延遲時(shí)間較低的產(chǎn)品，一般只有高頻，我們不能同時(shí)有低延遲和低延遲，所以很多超高頻內(nèi)存的延遲也相當(dāng)高。

內(nèi)存頻率和內(nèi)存延遲都對內(nèi)存性能起作用。一般來說，記憶頻率對記憶性能的影響更為廣泛。無論在應(yīng)用還是游戲中，在相同的延遲下，較高頻率的內(nèi)存都會帶來明顯的性能提升。然而，內(nèi)存延遲對大多數(shù)應(yīng)用程序（除運(yùn)行點(diǎn)外）的影響不太明顯，但它對內(nèi)存性能的負(fù)面影響有些游戲的影響相當(dāng)明顯。

求助，兩根內(nèi)存時(shí)序不一樣怎么辦？

謝謝。無需手動調(diào)整存儲器的定時(shí)參數(shù)。因?yàn)榘ㄈA碩tufb360mplus在內(nèi)的所有b360主板都不支持內(nèi)存超頻，所以不需要手動調(diào)整內(nèi)存的定時(shí)參數(shù)。您只需將兩塊內(nèi)存插入主板上相應(yīng)的內(nèi)存插槽，然后開機(jī)后，BIOS就可以自動配置相關(guān)內(nèi)存的工作順序，讓您的兩塊內(nèi)存以最佳頻率運(yùn)行。有一點(diǎn)提示，只有在超頻時(shí)才需要調(diào)整內(nèi)存的定時(shí)參數(shù)（必須與z370主板匹配）。因?yàn)檫m當(dāng)增加內(nèi)存的CL延遲可以使內(nèi)存以更高的頻率運(yùn)行，這有利于提高超頻后內(nèi)存的穩(wěn)定性。

內(nèi)存時(shí)序怎么設(shè)置？

內(nèi)存定時(shí)：一個(gè)參數(shù)，通常存儲在內(nèi)存模塊SPD中。2-2-2-84數(shù)字的含義是：caslatency（簡稱CL值）memory CAS delay time，它是內(nèi)存的重要參數(shù)之一。一些品牌的內(nèi)存會在內(nèi)存模塊的標(biāo)簽上打印CL值。Ras-to-casdelay（tRCD），內(nèi)存行地址轉(zhuǎn)換為列地址的延遲時(shí)間。行預(yù)充電繼電器（TRP）。行活動延遲（tras），內(nèi)存行地址選通延遲。這是球員們最關(guān)心的四個(gè)時(shí)機(jī)調(diào)整。它們可以在大多數(shù)主板的BIOS中設(shè)置。內(nèi)存模塊制造商還計(jì)劃推出低于JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的低延遲超頻內(nèi)存模塊。在相同的頻率設(shè)置下，具有最低“2-2-2-5”時(shí)序的存儲器模塊確實(shí)可以帶來比“3-4-4-8”更高的存儲器性能，范圍為3%到5%。

內(nèi)存時(shí)序多少好？

內(nèi)存定時(shí)，讓主板自動設(shè)置是最好的。

1. 記憶計(jì)時(shí)。最佳定時(shí)設(shè)置記錄在存儲器SPD中。主板可以自動讀取。默認(rèn)為自動，無需手動干預(yù)。

2. 如果手動設(shè)置時(shí)間順序，可以提高計(jì)算機(jī)的性能。但它也很容易崩潰。

3. 如果您想手動設(shè)置它，您應(yīng)該在一個(gè)較小的步驟中修改它。比如，原來的7可以改成6，不要太大。此外，如果一次只修改一個(gè)時(shí)間序列，而不是同時(shí)修改四個(gè)或更多個(gè)時(shí)間序列，則很容易崩潰。一次又一次地尋找最佳時(shí)機(jī)。

內(nèi)存時(shí)序怎么調(diào)節(jié)？

內(nèi)存定時(shí)的調(diào)整步驟如下：

在BIOS中打開手動設(shè)置。

在BIOS設(shè)置中找到“DRAM定時(shí)選擇”。

BIOS設(shè)置中可能出現(xiàn)的其他描述包括自動配置、自動、定時(shí)選擇、SPD定時(shí)配置等。將值設(shè)置為“menual”（根據(jù)BIOS，可能的選項(xiàng)有：開/關(guān)或啟用/禁用）。

內(nèi)存根據(jù)行和列尋址。當(dāng)一個(gè)請求被觸發(fā)時(shí)，它最初是一個(gè)tra。

預(yù)充電后，內(nèi)存開始初始化RAS。一旦TRAS被激活，RAS（行地址選通）就開始尋址所需的數(shù)據(jù)。首先是行地址，然后初始化tRCD，循環(huán)結(jié)束，然后通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。從CAS開始到CAS結(jié)束的時(shí)間段是CAS延遲。因此CAS是查找數(shù)據(jù)的最后一步，也是最重要的存儲參數(shù)。

內(nèi)存定時(shí)是一個(gè)參數(shù)，通常存儲在內(nèi)存模塊的SPD上。四個(gè)數(shù)字2-2-2-8有如下含義：CAS-latency（簡稱CL值）memory CAS-latency，是記憶的重要參數(shù)之一。一些品牌的內(nèi)存會在內(nèi)存模塊的標(biāo)簽上打印CL值。Ras-to-CAS-delay（tRCD），內(nèi)存行地址轉(zhuǎn)換為列地址的延遲時(shí)間。

內(nèi)存時(shí)序16和19差別大嗎？

頻率越高越好，時(shí)間越短越好。定時(shí)16的反應(yīng)將比定時(shí)19快。

內(nèi)存時(shí)序怎么看？

工具/原材料Aida（1）首先，從官方網(wǎng)站下載aida64并安裝。然后，在Internet上搜索序列號或數(shù)字計(jì)數(shù)器并輸入序列號以完成許可證。打開aida64（2）并單擊主板分支。內(nèi)存有兩個(gè)面板：內(nèi)存和SPD。在內(nèi)存面板中，僅顯示物理內(nèi)存、虛擬內(nèi)存的總量和使用情況。（3） 在SPD面板中，顯示存儲器的硬件信息。如果是多存儲器，則在設(shè)備描述中切換存儲器模塊，存儲器型號、制造日期、序列號、存取類型、存取速度、存儲器時(shí)序等將顯示在下面。